Маркировка материалов электронной техники - 36 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

36
которой принадлежат компоненты соединения и обозначают буквами ла-
тинского алфавита (А – первый компонент, В – второй, С – третий и т.д.).
Римские цифры над буквами обозначают группу элементов в периодиче-
ской системе, а арабские под буквами – стехиометрический коэффициент.
Например, бинарное соединение InP (фосфид индия) обозначается
А
III
В
V
, Bi
2
Te
3
(теллурид висмута) –
VIV
BА
32
, силицид цинка и фосфора ZnSiP
2
–
VIVII
CBА
2
.
Бинарные полупроводники можно разделить на следующие группы:
А
III
В
V
– GaAs, GaP, InAs и др.
А
II
В
VI
– СdS, CdSe, ZnSe, ZnS, CdTe и др.
А
IV
В
VI
– PbS, PbSe, PbTe и др.
Среди них наибольший научный и практический интерес представ-
ляют соединения А
III
В
V
и А
II
В
VI
, которые являются важнейшими материа-
лами полупроводниковой оптоэлектроники. Свойства основных полупро-
водниковых соединений типа А
III
В
V
приведены в табл. 3.2 .
3.2.1. Арсенид галлия GaAs
Из всех химических соединений GaAs наиболее широко применяется
в производстве полупроводниковых приборов. Это объясняется наличием
у него широкой запрещенной зоны (∆W = 1,43 эВ) и высокой подвижно-
стью носителей заряда.
Арсенид галлия является основным материалом для производства
полупроводниковых лазеров с длиной волны излучения 0,83…0,92 мкм.
Его широко используют в СВЧ-технике для изготовления полевых тран-
зисторов с эффектом Шоттки (ПТШ), туннельных диодов, диодов Ганна,
интегральных микросхем на ПТШ.
Арсенид галлия, предназначенный для производства полупроводни-
ковых приборов и эпитаксиальных структур выпускают в виде монокри-
сталлов диаметром 18…25 мм и длиной 20…50 мм и более. В обозначе-
нии марки GaAs указывают вид материала (АГ – арсенид галлия), способ
получения (Ч – по методу Чохральского, Н – методом направленной кри-
сталлизации), вид легирующей примеси (Ц – цинк, О – олово, Т – теллур).
К буквенному обозначению добавляют две цифры, из которых первая оз-
начает величину концентрации основных носителей заряда, вторая – по-
казатель десятичного порядка этой величины. Например, АГЧЦ – 21-19
(арсенид галлия, полученный методом Чохральского, легирован цинком,
марки 2, концентрация основных носителей заряда 1 ⋅ 10
19
см
–3
.
3.2.2. Фосфид галлия
Вследствие большой ширины запрещенной зоны излучательные пе-
реходы в фосфиде галлия приходятся на видимую часть спектра, что по-
зволяет на основе GaP создавать светодиоды, дающие красное, желтое и

Страницы