Маркировка материалов электронной техники - 37 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

37
зеленое свечение. Высокая термическая и радиоционная стойкость позво-
ляет применять его для изготовления солнечных батарей.
Фосфид галлия имеет рабочий температурный предел, равный
1000 °С. Транзисторы на арсениде галлия, в которых эмиттеры изготовле-
ны из фосфида галлия, имеют больший выход по мощности, чем транзи-
сторы на германии.
Фосфид галлия выпускается в виде монокристаллических слитков
диаметром 38 и длиной 50 мм, а также дендритных пластин.
Вводя в фосфид галлия легирующие примеси: теллур, цинк, кисло-
род можно получить светодиоды, имеющие разное свечение, что указыва-
ется в маркировке фосфида галлия:
Марки ФГЭТ-к/10, ФГЭТ-о/20, ФГЭТК-к/30, ФГДЦ-з – означают
ФГ – фосфид галлия; Э, Д – электронный или дырочный тип проводимо-
сти; Т, Ц и К – легирующие примеси (теллур, цинк, кислород); к, о и з –
цвета свечения материала (красный, оранжевый, зеленый). Цифры в зна-
менателе показывают минимальную яркость свечения (кД/м
2
).
3.2.3. Антимонид индия InSb
Антимонид индия является одним из наиболее изученных и широко
применяемых бинарных полупроводников. Технология его получения
сравнительно проста. Его достоинством является высокая химическая
стойкость в любой атмосфере. Антимонид индия из всех двойных полу-
проводников имеет самую узкую ширину запрещенной зоны, равной
0,236 эВ при высокой подвижности носителей заряда.
Отличительной особенностью InSb является очень малое время жиз-
ни неосновных носителей заряда, равное 0,36 мкс. Только на антимониде
индия изготовляют диоды, работающие при низких температурах. Кроме
того, он является одним из основных материалов для датчиков инфра-
красного излучения.
Промышленность выпускает антимонид индия в виде монокристал-
лических слитков марок: ИСЭ, ИСЭТ, ИСДГ, ИСДЦ, где ИС – индий
сурьмянистый; Э и Д – тип проводимости (электронный и дырочный); Т, Г,
Ц – легирующая примесь – теллур, галлий, цинк.
3.2. Основные свойства соединений типа А
III
В
V
Полупро-
водник
Ширина
запрещенной
зоны, эВ
Подвижность
электр
о
нов/дырок,
м
2
/(В⋅с)
Постоянная
решетки,
×10, нм
Температура
плавления,
°С
Плотность,
кг/м
3
GaAs 1,43 0,95/0,045 5,653 1238 5320
GaP 2,26 0,019/0,012 5,451 1467 4070
InSb 0,18 7,8/0,075 6,479 525 5780

Страницы