ВУЗ:
Составители:
54
Технология LTPS TFT. LTPS (низкотемпературная поликремне-
вая) технология – это новейший производственный процесс изготов-
ления TFT-панелей. В этой технологии используется лазерный отжиг,
который позволяет производить кристаллизацию кремниевой плёнки
при температуре менее 400 °С. Поликристаллический кремний – мате-
риал на основе кремния, содержащий множество кристаллов кремния
размером от 0,1 до нескольких микрон. При производстве полупро-
водников поликристаллический кремний обычно изготавливается при
помощи LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition – химическое
осаждение при низком давлении из газообразной фазы), а затем отжи-
гается при температуре более 900 °С. Этот метод известен как SPC
(Solid Phase Crystallization – кристаллизация твёрдой фазы). Очевидно,
что такой метод не удастся применить при производстве индикатор-
ных панелей, поскольку температура плавления стекла составляет 650
°С. Поэтому для создания ЖК-панелей идеально подходит новая низ-
котемпературная технология LTPS.
В настоящее время для формирования LTPS плёнки используется
несколько методов, среди которых наибольшую популярность приоб-
рел метод лазерного отжига. В качестве источника энергии в этом слу-
чае используется эксимерный лазер. Он нагревает и расплавляет a-Si
(аморфный кремний) с низким содержанием водорода, после чего
кремний повторно кристаллизуется в виде p-Si (поликристаллической
плёнки). Подготовка LTPS плёнки более сложна, чем a-Si пленки, од-
нако LTPS TFT имеют в 100 раз большую текучесть, чем a-Si TFT, что
позволяет перенести КМОП-процесс непосредственно на стеклянную
подложку. В результате технология p-Si приобретает следующие ос-
новные преимущества по сравнению с a-Si-технологией.
1. Подвижность электронов в тонкоплёночных транзисторах, из-
готовленных по технологии LTPS, достигает ~200 см
2
/В·с, что намного
выше, чем у транзисторов a-Si технологии (всего около 0,5 см
2
/В·с).
Повышенная подвижность электронов позволяет увеличить степень
интеграции формируемой на подложке ЖКИ интегральной схемы и
уменьшить размеры самого тонкоплёночного транзистора.
2. Достигается более высокий апертурный коэффициент (отно-
шение полезной площади ячейки к её полной площади). Так как TFT-
транзистор LTPS ЖКИ имеет меньший размер, чем транзистор a-Si,
полезная площадь ячейки, а, следовательно, и апертурный коэффици-
ент такого ЖКИ будут выше (рис. 35). В результате при прочих рав-
ных условиях яркость свечения ячейки LTPS-ЖКИ пропорционально
возрастёт.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 52
- 53
- 54
- 55
- 56
- …
- следующая ›
- последняя »
