Основы физики и технологии оксидных полупроводников. Брусенцов Ю.А - 4 стр.

UptoLike

ВВЕДЕНИЕ
Из многочисленных полупроводниковых приборов важное место принадлежит терморезисторам, отличительной
особенностью которых является высокая чувствительность их электросопротивления к изменению температуры.
Наряду с легированными германием, кремнием, полупроводниковыми стеклами, подавляющее число терморезистивных
приборов изготавливается во всех странах на основе оксидов переходных металлов, у которых не полностью заполнена 3d-
электронная оболочка. Эти окислы обладают широким комплексом электрических свойств, что дает возможность
изготавливать приборы с различным характером температурной зависимости электросопротивления.
Термочувствительные резисторы у нас получили название терморезисторов (ТР). За рубежом их называют
термисторами. Наибольшее распространение получили ТР с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления
(ТКС). В последние годы появился новый класс ТР с положительным ТКС, так называемые позисторы. ТРсамые простые
полупроводниковые приборы. Их простота устройства с ярко выраженной нелинейной температурной зависимостью
электросопротивления послужили причиной широкого применения оксидных ТР в электронике, автоматике, телемеханике,
электротехнике, приборостроении, телефонии и телеграфии. ТР используются для контроля и регулирования температуры, в
противопожарной сигнализации, в схемах температурной компенсации, для измерения мощности УВЧ, при измерении
вакуума, скоростей движения жидкостей и газов, теплопроводности, для топографирования температурных полей и
регистрации жесткого излучения и т.д. Оксидные терморезисторы имеют малые габариты, а значит, малую тепловую
инерцию; стабильны во времени, не требуют специального обслуживания при эксплуатации.
Одной из важных проблем, до конца еще не решенных, является проблема воспроизведения свойств терморезистивных
материалов. Разработка методов синтеза терморезистивных материаловодна из главных задач материаловедения для этого
класса веществ.
Особое место среди оксидных полупроводников занимают ферритывысокочастотные
магнитные материалы, представляющие собой соединения оксида железа с оксидами других металлов.
Применение ферритов позволило решить многие проблемы вычислительной и сверхвысокочастотной
техники, электронного приборостроения, техники связи и др. Перспективными материалами,
применяемыми в запоминающих устройствах и магнитооптических приборах, являются ферриты с
цилиндрическими магнитными доменами. Кроме того, ферриты бария, стронция и др. применяют в
качестве магнитотвердых материалов, т.е. постоянных магнитов.
1 КРИСТАЛЛОГРАФИЯ 3d-ОКИСЛОВ
Наиболее распространенными кристаллическими решетками являются структуры типа шпинели и типа NaCl, которые
нашли применение для создания оксидных терморезисторов и ферритов. Название "шпинель" произошло от названия
минерала "благородная шпинель" – MgAl
2
O
4
. Общую формулу шпинелей принято записывать в виде XY
2
Z
4
, где X – чаще
двухвалентный металл; Y – трехвалентный металл; Z – анион (O
2-
, F
-
, S
2-
, Cl
). Чаще других применяются оксидные
шпинели. Кристаллическая решетка оксидной шпинели представляет собой плотноупакованную структуру анионов.
Из кристаллографии известно, что в плотноупакованной решетке различают два типа пустот: тетраэдрические и
октаэдрические. Тетраэдрические поры окружены четырьмя атомами (рис. 1), а октаэдрическиешестью шарами-атомами
(рис. 2).
Фрагмент структуры шпинели типа XY
2
O
4
изображен на рис. 3.
Элементарная ячейка шпинели состоит из восьми формульных единиц XY
2
O
4
, т.е.
++ 2
32
3
16
2
8
OYX
. В состав ячейки входят
32 кислородных иона, 64 тетра-поры и 32 окта-поры (всего 96 пор). Из 64 тетра-позиций занята только 1/8 часть, а из 32
окта-пор занята половина. Следует отметить, что октаэдры контактируют друг с другом, а заполненные тетраэдры не
контактируют между собой.
Рис. 1
Тетраэдрическая пора
Рис. 2 Октаэдрическая
пора