Электротехника и электроника. Брякин Л.А. - 102 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

Рисунок 3.14
Конструктивно выбирают область базы w
б
транзистора (рисунок 3.14а) очень
узкой. Концентрация дырок в базе невысокая, а концентрация электронов, на-
оборот, высокая. Транзистор работает следующим образом. При подаче прямо-
го смещающего напряжения база – эмиттер U
бэ
через эмиттерный переход бу-
дут протекать два тока:
− дырочный ток из базы в эмиттер. За счет низкой концентрации дырок
этот ток невелик;
- электронный ток – из эмиттера в базу. Попав в область базы, элек-
троны, благодаря тонкой базе, с высокой вероятностью оказывают-
ся в области коллекторного перехода. Если при
этом коллектор об-
ратно смещен, то это способствует переходу свободных электронов
из базы в коллектор. Именно этот поток электронов оказывается по-
лезным и создает коллекторный ток. Чем тоньше база, тем выше ко-
эффициент усиления транзистора по току, тем больше коллектор-
ный ток, тем ближе по величине коллекторный ток к эмиттерному
току
.
Для транзистора можно определить несколько основных соотношений, которые
справедливы при работе транзистора в линейном режиме.
I
Э
= I
Б
+ I
К
, то есть эмиттерный ток равен сумме коллекторного и базового
токов. 
                                 Рисунок 3.14


Конструктивно выбирают область базы wб транзистора (рисунок 3.14а) очень
узкой. Концентрация дырок в базе невысокая, а концентрация электронов, на-
оборот, высокая. Транзистор работает следующим образом. При подаче прямо-
го смещающего напряжения база – эмиттер Uбэ через эмиттерный переход бу-
дут протекать два тока:
        − дырочный ток из базы в эмиттер. За счет низкой концентрации дырок
            этот ток невелик;
        - электронный ток – из эмиттера в базу. Попав в область базы, элек-
            троны, благодаря тонкой базе, с высокой вероятностью оказывают-
            ся в области коллекторного перехода. Если при этом коллектор об-
            ратно смещен, то это способствует переходу свободных электронов
            из базы в коллектор. Именно этот поток электронов оказывается по-
            лезным и создает коллекторный ток. Чем тоньше база, тем выше ко-
            эффициент усиления транзистора по току, тем больше коллектор-
            ный ток, тем ближе по величине коллекторный ток к эмиттерному
            току.
Для транзистора можно определить несколько основных соотношений, которые
справедливы при работе транзистора в линейном режиме.
   IЭ = IБ + IК , то есть эмиттерный ток равен сумме коллекторного и базового
   токов.

Страницы