Электротехника и электроника. Брякин Л.А. - 104 стр.

      т.е. управляется током и всегда необходимо предусматривать ограниче-
      ние тока базы, например, резистором. При плавном повышении тока ба-
      зы линейно с коэффициентом β возрастает коллекторный ток. Если в
      коллекторной цепи присутствует резистор, то рост коллекторного тока
      будет сопровождаться уменьшением напряжения коллектор – эмиттер.
      До тех пор, пока напряжение на коллекторе выше напряжения на базе,
      транзистор остается в линейном режиме, т.е. способен линейно усили-
      вать сигнал.
   3. Режим насыщения – оба перехода транзистора оказываются прямо сме-
      щенными. Коллекторный ток достигает своего максимального значения,
      которое определяется не транзистором, а цепью нагрузки. В режим на-
      сыщения транзистор входит, когда Iб > Iкн/ β, где Iб – ток в базовой цепи,
      Iкн – ток в цепи коллектора. Чтобы транзистор оказался заведомо в ре-
      жиме насыщения, выбирают степень насыщения S > 2. Iб = S*Iкн/ β. В
      режиме насыщения в базу поступает такое количество неосновных но-
      сителей, что коллектор не способен их поглотить. В результате при по-
      пытке выключить транзистор, эти неосновные носители создадут значи-
      тельную задержку выключения транзистора. Режим насыщения или
      близкий к нему линейный режим, находит широкое применение в циф-
      ровой технике. При этом говорят, что транзистор открыт или включен.


   3.3.2 Основные схемы включения транзистора
      В зависимости от того, какой из электродов транзисторов является об-
щим для входной и выходной цепи, различают три основные схемы включения:
      Схема с общим эмиттером находит наибольшее применение, обладает
средним входным сопротивлением и средним выходным, способна усиливать
сигнал по току и напряжению. Простейшая схема усилительного каскада пред-
ложена на рисунке 3.15а.