Электротехника и электроника. Брякин Л.А. - 110 стр.

полупроводник. В обоих случаях буквенное сочетание объясняется конструк-
цией полевого МДП-транзистора, в котором используется полупроводник (ри-
сунок 3.18а), на поверхность которого нанесён диэлектрик или окись кремния,
то есть тоже диэлектрик, а на поверхности диэлектрика располагается металли-
ческий электрод, называемый затвором.




                                  Рисунок 3.18




      Исток – электрод, который формирует носители заряда, от которого эти
заряды перемещаются под затвором к стоку. Сток – электрод, который прини-
мает, на который стекают заряды. Создается полевой транзистор на полупро-
воднике n или р типа, который образует подложку, т.е. дополнительный четвер-
тый электрод. Подложка обычно соединяется с истоком. Рассмотрим принцип
работы МДП транзистора, конструкция которого предложена на рисунке 3.18а,
а условное обозначение и возможное включение в качестве усилительного кас-