Электротехника и электроника. Брякин Л.А. - 111 стр.

када предложено на рисунке 3.18б. В полупроводнике p-типа образованы две
области полупроводника n-типа с повышенной концентрацией свободных элек-
тронов, которые образуют исток и сток. Если под диэлектриком при нулевом
напряжении на затворе относительно истока присутствует полупроводник p-
типа, как это изображено на рисунке, то между стоком и истоком образуются
два встречно включенных p-n-перехода, проводимость между стоком и истоком
в этом случае отсутствует.
     При подаче положительного напряжения на затвор относительно истока
вблизи поверхности увеличивается концентрация свободных электронов, что
при превышении напряжения на затворе величины Uпор (рисунок 3.18г) приво-
дит к формированию канала проводимости n-типа. То есть между стоком и ис-
током образуется канал электронной проводимости. Появление канала показа-
но на рисунке пунктиром. С ростом напряжения канал проводимости расширя-
ется, проводимость растёт.   Транзистор описанного типа называют МДП-
транзистором с индуцированным каналом. Условное обозначение его на схемах
показано на рисунке 3.18б.
     Если при изготовлении транзистора вблизи диэлектрика сформирован ка-
нал проводимости конструктивно, то есть между стоком и истоком при нулевом
напряжении на затворе присутствует проводимость, то это МДП-транзистор со
встроенным каналом. Его условное изображение на схемах предложено на ри-
сунке 3.18в. на рисунке 3.18г предложены зависимости тока стока от напряже-
ния на затворе для описанных транзисторов.
     Если транзистор строится на полупроводнике n-типа, а носители заряда в
канале p-типа, то в условном обозначении направление стрелки на линии, обо-
значающей подложку, должно быть противоположным указанному на рисунках
3.18б и 3.18в направлению.
     Широкое применение находят полевые транзисторы с управляющим р-n
переходом, для нормальной работы которых желательно р-n перехода затвора
смещать в обратном направлении. Конструкция полевого транзистора с p-n-
переходом и его условное обозначение показано на рисунке 3.19.