ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
када предложено на рисунке 3.18б. В полупроводнике p-типа образованы две
области полупроводника n-типа с повышенной концентрацией свободных элек-
тронов, которые образуют исток и сток. Если под диэлектриком при нулевом
напряжении на затворе относительно истока присутствует полупроводник p-
типа, как это изображено на рисунке, то между стоком и истоком образуются
два встречно включенных
p-n-перехода, проводимость между стоком и истоком
в этом случае отсутствует.
При подаче положительного напряжения на затвор относительно истока
вблизи поверхности увеличивается концентрация свободных электронов, что
при превышении напряжения на затворе величины U
пор
(рисунок 3.18г) приво-
дит к формированию канала проводимости n-типа. То есть между стоком и ис-
током образуется канал электронной проводимости. Появление канала показа-
но на рисунке пунктиром. С ростом напряжения канал проводимости расширя-
ется, проводимость растёт. Транзистор описанного типа называют МДП-
транзистором с индуцированным каналом. Условное обозначение его на схемах
показано на рисунке 3.18б.
Если при изготовлении транзистора вблизи диэлектрика сформирован ка-
нал проводимости конструктивно, то есть между стоком и истоком при нулевом
напряжении на затворе присутствует проводимость, то это МДП-транзистор со
встроенным каналом. Его условное изображение на схемах предложено на ри-
сунке 3.18в. на рисунке 3.18г предложены зависимости тока
стока от напряже-
ния на затворе для описанных транзисторов.
Если транзистор строится на полупроводнике n-типа, а носители заряда в
канале p-типа, то в условном обозначении направление стрелки на линии, обо-
значающей подложку, должно быть противоположным указанному на рисунках
3.18б и 3.18в направлению.
Широкое применение находят полевые транзисторы с управляющим р
-n
переходом, для нормальной работы которых желательно р-n перехода затвора
смещать в обратном направлении. Конструкция полевого транзистора с p-n-
переходом и его условное обозначение показано на рисунке 3.19.
када предложено на рисунке 3.18б. В полупроводнике p-типа образованы две области полупроводника n-типа с повышенной концентрацией свободных элек- тронов, которые образуют исток и сток. Если под диэлектриком при нулевом напряжении на затворе относительно истока присутствует полупроводник p- типа, как это изображено на рисунке, то между стоком и истоком образуются два встречно включенных p-n-перехода, проводимость между стоком и истоком в этом случае отсутствует. При подаче положительного напряжения на затвор относительно истока вблизи поверхности увеличивается концентрация свободных электронов, что при превышении напряжения на затворе величины Uпор (рисунок 3.18г) приво- дит к формированию канала проводимости n-типа. То есть между стоком и ис- током образуется канал электронной проводимости. Появление канала показа- но на рисунке пунктиром. С ростом напряжения канал проводимости расширя- ется, проводимость растёт. Транзистор описанного типа называют МДП- транзистором с индуцированным каналом. Условное обозначение его на схемах показано на рисунке 3.18б. Если при изготовлении транзистора вблизи диэлектрика сформирован ка- нал проводимости конструктивно, то есть между стоком и истоком при нулевом напряжении на затворе присутствует проводимость, то это МДП-транзистор со встроенным каналом. Его условное изображение на схемах предложено на ри- сунке 3.18в. на рисунке 3.18г предложены зависимости тока стока от напряже- ния на затворе для описанных транзисторов. Если транзистор строится на полупроводнике n-типа, а носители заряда в канале p-типа, то в условном обозначении направление стрелки на линии, обо- значающей подложку, должно быть противоположным указанному на рисунках 3.18б и 3.18в направлению. Широкое применение находят полевые транзисторы с управляющим р-n переходом, для нормальной работы которых желательно р-n перехода затвора смещать в обратном направлении. Конструкция полевого транзистора с p-n- переходом и его условное обозначение показано на рисунке 3.19.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 109
- 110
- 111
- 112
- 113
- …
- следующая ›
- последняя »