ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Две возможные схемы включения светодиодов показаны на рисунке 4.10.
В первой схеме светодиод будет светиться при подаче на вход элемента логиче-
ской единицы, а во второй – при подаче нуля. Резистор выбирается из условия
обеспечения требуемого для свечения светодиода тока.
Рисунок 4.10
4.4 Логические элементы на комплементарных
МДП-транзисторах
Более
сложные логические элементы по сравнению с инвертором рисунка
4.2 строятся сочетанием параллельной транзисторной логики вблизи нулевого
провода и последовательной логики вблизи цепи питания (рисунок 4.11) или
наоборот.
В первом случае реализуется логическая функция типа ИЛИ-НЕ, а во втором –
логическая функция типа И-НЕ.
Заметим, что транзисторы VT1, VT4 выполнены с каналом n-типа, а
тран-
зисторы VT2, VT3 имеют каналы проводимости p-типа. Применение транзи-
сторов с разными каналами проводимости в пределах одной микросхемы, то
есть комплементарных или взаимодополняющих транзисторов, и определяет
название технологии изготовления этих микросхем: КМДП - технология. Все
транзисторы с индуцированными каналами. Пороговое напряжение транзисто-
&
вход
&
вход
VD
VD
R
E
R
E
Две возможные схемы включения светодиодов показаны на рисунке 4.10. В первой схеме светодиод будет светиться при подаче на вход элемента логиче- ской единицы, а во второй – при подаче нуля. Резистор выбирается из условия обеспечения требуемого для свечения светодиода тока. VD E R E VD вход вход R & & Рисунок 4.10 4.4 Логические элементы на комплементарных МДП-транзисторах Более сложные логические элементы по сравнению с инвертором рисунка 4.2 строятся сочетанием параллельной транзисторной логики вблизи нулевого провода и последовательной логики вблизи цепи питания (рисунок 4.11) или наоборот. В первом случае реализуется логическая функция типа ИЛИ-НЕ, а во втором – логическая функция типа И-НЕ. Заметим, что транзисторы VT1, VT4 выполнены с каналом n-типа, а тран- зисторы VT2, VT3 имеют каналы проводимости p-типа. Применение транзи- сторов с разными каналами проводимости в пределах одной микросхемы, то есть комплементарных или взаимодополняющих транзисторов, и определяет название технологии изготовления этих микросхем: КМДП - технология. Все транзисторы с индуцированными каналами. Пороговое напряжение транзисто-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 130
- 131
- 132
- 133
- 134
- …
- следующая ›
- последняя »