Электротехника и электроника. Брякин Л.А. - 133 стр.

UptoLike

Составители: 

ров выбирается меньшим, чем минимальное допустимое напряжение питания.
Уровень логического нуля формируется на выходе в том случае, когда открыт
хотя бы один из транзисторов VT1, VT4. То есть при подаче хотя бы на один из
входов уровня логической единицы (уровень, близкий к напряжению питания)
на выходе формируется нуль. Элемент реализует функцию 2ИЛИ-НЕ
:
21 xxy = .
Рисунок 4.11
В том случае, когда на оба входа поступают уровни логического нуля (близкое
к нулю Вольт напряжение), транзисторы VT2, VT3 открываются, формируя на
выходе напряжение, близкое к напряжению питания, то есть уровень логиче-
ской единицы. Можно заметить, что в обоих случаях выходное напряжение
формируется благодаря открыванию соответствующих транзисторов. Это по-
зволяет достичь
высокой нагрузочной способности выходной цепи элемента
при необходимости. Кроме того, максимально используется напряжение пита-
ния при формировании выходных логических уровней. Если в транзисторно-
транзисторной логике уровень логической единицы ниже напряжения питания
на сумму падений напряжений на резисторе R2, переходе база-эмиттер VT3 и
VT2
VT4
VT3
VT1 x1
x2
y
+E
ров выбирается меньшим, чем минимальное допустимое напряжение питания.
Уровень логического нуля формируется на выходе в том случае, когда открыт
хотя бы один из транзисторов VT1, VT4. То есть при подаче хотя бы на один из
входов уровня логической единицы (уровень, близкий к напряжению питания)
на выходе формируется нуль. Элемент реализует функцию 2ИЛИ-НЕ:
y = x1 ∨ x 2 .



                             +E


                 VT2




                             VT3                  y



                                                         x2
        x1             VT1
                                       VT4


                                   Рисунок 4.11


В том случае, когда на оба входа поступают уровни логического нуля (близкое
к нулю Вольт напряжение), транзисторы VT2, VT3 открываются, формируя на
выходе напряжение, близкое к напряжению питания, то есть уровень логиче-
ской единицы. Можно заметить, что в обоих случаях выходное напряжение
формируется благодаря открыванию соответствующих транзисторов. Это по-
зволяет достичь высокой нагрузочной способности выходной цепи элемента
при необходимости. Кроме того, максимально используется напряжение пита-
ния при формировании выходных логических уровней. Если в транзисторно-
транзисторной логике уровень логической единицы ниже напряжения питания
на сумму падений напряжений на резисторе R2, переходе база-эмиттер VT3 и