Наноразмерные структуры: классификация, формирование и исследование. Булыгина Е.В - 18 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МГТУ им. Баумана | Москва

Составители: 

Рубрика: 

1
2. Методы получения наноструктур
На рис. 1.1.7 представлены научные источники методов формирования наноструктур:
К основным перспективным методам создания наноструктур можно отнести такие как:
Электронолитография и наноимпринт;
Эпитаксиальные методы;
Самоформирование и синтез (в матрицах и шаблонах);
Зондовые методы;
Вакуумные методы формирования тонких пленок.
Рис. 1.1.7. Происхождение методов формирования наноструктур
По сравнению с классической
оптической и рентгеновской литографиями
электронная литография обладает основным
преимуществом, делающим ее наиболее
эффективным методом создания топологии
нанометровых размеров [28], а именно
возможность получения ускоренных
электронов с длиной волны 0,1 нм. Однако из-за
рассеяния электронов в резистивной маске метод
ограничен разрешением порядка 10 нм.
Электронорезистом может являться
полиметилметакрилат, растворимый в
трихлорбензоле (при позитивном
литографическом процессе), либо в
хлорметилстироле (при негативном
литографическом процессе). Низкая
производительность метода является также
сдерживающим фактором его широкого
Рис. 1.1.8. Нанесение изображения
с помощью технологии
наноимпринта 
                       2. Методы получения наноструктур
     На рис. 1.1.7 представлены научные источники методов формирования наноструктур:
    К основным перспективным методам создания наноструктур можно отнести такие как:
   ƒ Электронолитография и наноимпринт;
   ƒ Эпитаксиальные методы;
   ƒ Самоформирование и синтез (в матрицах и шаблонах);
   ƒ Зондовые методы;
   ƒ Вакуумные методы формирования тонких пленок.




             Рис. 1.1.7. Происхождение методов формирования наноструктур

    По     сравнению      с    классической
оптической и рентгеновской литографиями
электронная литография обладает основным
преимуществом, делающим ее наиболее
эффективным методом создания топологии
нанометровых размеров [28], а именно
возможность      получения      ускоренных
электронов с длиной волны 0,1 нм. Однако                                          из-за
рассеяния электронов в резистивной маске                                         метод
ограничен разрешением порядка 10 нм.
Электронорезистом       может       являться
полиметилметакрилат,      растворимый      в
трихлорбензоле       (при       позитивном
литографическом     процессе),    либо     в Рис. 1.1.8. Нанесение изображения
хлорметилстироле       (при      негативном        с помощью технологии
литографическом      процессе).       Низкая            наноимпринта
производительность метода является также
сдерживающим фактором его широкого

                                                                                    1

Страницы