Составители:
Рубрика:
2
квантовыми точками (типа наноостровков InAs в слоистой матрице GaAs).Обычно в таких
гетероструктурах размер квантовых точек колеблется от 4 до 20 нм.
Если говорить о зондовых методах, то они могут разделяться на методы
нанолитографии (токовые и механические) и нелитографические методы (формирование
квазиодномерных нанопроводников, манипуляции нанообъектами). Литографические
методы позволяют формировать нанорельеф
как с помощью механического воздействия на
поверхность подложки, так и с помощью бесконтактной модификации поверхности.
Наиболее привлекательным с точки зрения создания активных элементов наноэлектроники
является метод локального зондового окисления. Суть метода связана с протеканием
электрохимической реакции под проводящим зондом на способной к окислению
поверхности при приложении к ней положительного смещения относительно зонда. В
качестве окислителя чаще всего выступает атмосферная влага, адсорбированная на
поверхности, вследствие чего параметры окисления зависят от относительной влажности
воздуха вблизи обрабатываемой поверхности. Толщина оксида зависит от величины
напряжения и длительности процесса [31]. Закон нарастания толщины пленки со временем:
)1
)(
2
1(
2
)(
)(
0
2
0
0
0
−
−
+
−
=
UU
tI
I
UUs
td
βσε
, (1.6)
где
σ – объемная проводимость проводящей пленки,
ε – диэлектрическая проницаемость пленки окисла,
s – площадь поверхности зонда,
U – напряжение внешнего источника,
U
0
– напряжение начала процесса анодирования (электрохимическая реакция имеет
пороговый характер),
I
0
– начальный ток через металлическую пленку без окисла,
β – коэффициент эффективности окисления.
При этом планарные геометрические размеры выращиваемой структуры связаны с
геометрической формой зонда (радиусом закругления) – минимальный порядок – единицы
нанометров. Хотя на текущий момент зондовые методы имеют в основном
исследовательскую ценность, компания «IBM» уже анонсировала [32] запоминающее
устройство на основе нанолитографического способа:
работоспособный чип устройства
квантового хранения данных - "Millipede" ("Многоножка"), состоящий из матрицы,
содержащей 4096 кантилеверов (рис. 1.1.10 а, б), выполненных как устройства чтения/записи
(подобные кантилеверы используются сейчас в атомно-силовых микроскопах). Подробно
зондовые методы описаны в работе [27].
К новым методам нанолитографии можно отнести метод «погруженного пера»,
который основан на переносе молекул с
зонда на подложку посредством диффузии частиц
через мениск жидкофазного вещества, соединяющий зонд и подложку. Перспективной
является терморегулируемая модификация метода, когда нанесение вещества управляется с
помощь локального разогрева зонда до температуры ~ 200°C (рис. 1.1.11).
квантовыми точками (типа наноостровков InAs в слоистой матрице GaAs).Обычно в таких гетероструктурах размер квантовых точек колеблется от 4 до 20 нм. Если говорить о зондовых методах, то они могут разделяться на методы нанолитографии (токовые и механические) и нелитографические методы (формирование квазиодномерных нанопроводников, манипуляции нанообъектами). Литографические методы позволяют формировать нанорельеф как с помощью механического воздействия на поверхность подложки, так и с помощью бесконтактной модификации поверхности. Наиболее привлекательным с точки зрения создания активных элементов наноэлектроники является метод локального зондового окисления. Суть метода связана с протеканием электрохимической реакции под проводящим зондом на способной к окислению поверхности при приложении к ней положительного смещения относительно зонда. В качестве окислителя чаще всего выступает атмосферная влага, адсорбированная на поверхности, вследствие чего параметры окисления зависят от относительной влажности воздуха вблизи обрабатываемой поверхности. Толщина оксида зависит от величины напряжения и длительности процесса [31]. Закон нарастания толщины пленки со временем: σε s (U − U 0 ) 2βI 0 t 2 d (t ) = ( 1+ − 1) , (1.6) 2I 0 (U − U 0 ) где σ – объемная проводимость проводящей пленки, ε – диэлектрическая проницаемость пленки окисла, s – площадь поверхности зонда, U – напряжение внешнего источника, U0 – напряжение начала процесса анодирования (электрохимическая реакция имеет пороговый характер), I0 – начальный ток через металлическую пленку без окисла, β – коэффициент эффективности окисления. При этом планарные геометрические размеры выращиваемой структуры связаны с геометрической формой зонда (радиусом закругления) – минимальный порядок – единицы нанометров. Хотя на текущий момент зондовые методы имеют в основном исследовательскую ценность, компания «IBM» уже анонсировала [32] запоминающее устройство на основе нанолитографического способа: работоспособный чип устройства квантового хранения данных - "Millipede" ("Многоножка"), состоящий из матрицы, содержащей 4096 кантилеверов (рис. 1.1.10 а, б), выполненных как устройства чтения/записи (подобные кантилеверы используются сейчас в атомно-силовых микроскопах). Подробно зондовые методы описаны в работе [27]. К новым методам нанолитографии можно отнести метод «погруженного пера», который основан на переносе молекул с зонда на подложку посредством диффузии частиц через мениск жидкофазного вещества, соединяющий зонд и подложку. Перспективной является терморегулируемая модификация метода, когда нанесение вещества управляется с помощь локального разогрева зонда до температуры ~ 200°C (рис. 1.1.11). 2
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- …
- следующая ›
- последняя »