Наноразмерные структуры: классификация, формирование и исследование. Булыгина Е.В - 23 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МГТУ им. Баумана | Москва

Составители: 

Рубрика: 

2
Ni, Cr, Mn, Ti, Pt, Pd,
Mo, W
ных транзисторах, сис-
темы межсоединений в
скоростных ИС, СБИС
Гетероструктуры
(InAs/GaAs, Ge/Si,
CdSe/ZnSe,
CdTe/ZnTe) с
имплантированными
квантовыми точками
1-20
2
МЛЭ, осаждение
из жидкостной,
газовой фазы
Энергонезависимая
память, фотоэмиттеры,
фотоприемники, тун-
нельно-резонансные
диоды, оптоволокон-
ные системы
Низкое
энергопо-
требление
, высокая
стабиль-
ность,
скорость
Нанокомпозиты
(Наноразмерные
сегнетоэлектрики
ЦТС, SrBi
2
Ta
2
O
9
)
10-100
Магнетронное
напыление,
лазерная
абляция,
химическое
осаждение из
газовой фазы
(MOCVD), золь-
гель метод
Энергонезависимая и
динамическая память,
конденсаторы, устрой-
ства на ПАВ, микроат-
тенюаторы, датчики,
оптические процессо-
ры, световоды, линии
задержки, умножители
частоты и др.
Высокая
скорость,
высокое
напряжени
е пробоя,
низкие
потери,
спец.
свойства
Нанокерамика
1-100
Спекание
неметаллически
х нанопорошков
Пьезоэлементы, пьезо-
датчики, диэлектрики,
полупроводники, про-
водники, магнитные,
оптические элементы,
конструкционные
корпусные элементы
Многообра-
зие свойств,
доступность
сырья, эко-
номичные
технологии,
экологичнос
ть
Нанопористые
материалы
1-100
Гидротермальны
й синтез, золь-
гель процессы,
электрохими-
ческие методы,
обработка
хлором карбид-
ных материалов,
создание НПМ
на основе ДНК,
Промежуточные
структуры в
технологическом
процессе изготовления
наноэлектронных
изделий,
мультикатализаторы;
источники энергии,
сенсоры
Эффектив
-ные ката-
литические
процессы,
возмож-
ность се-
лективной
фильтра-
ции, фото-
каталитиче
ские свой-
ства,
адсорбция
Сверхпроводники:
пленки
Y
1
B
2
C
3
O
7
(YBCO),
Zr(Y)O
2
,
(Bi,Pb)
2
Sr
2
Ca
2
Cu
3
O
10
(BPSCCO)
10-100
Лазерное
осаждение,
MOCVD,
магнетронное
распыление,
аэрозольное
осажд.
Датчики магнитного и
ИК излучений,
быстродействующие
цифровые и
аналоговые элементы
Экономич
-ность,
быстодейс
твие
2
Например, кластеры с возможностью реализации квантово-размерных эффектов
реализуются только при нанесении слоев толщиной менее 10 монослоев Ge (3…7) [11] 
Ni, Cr, Mn, Ti, Pt, Pd,                               ных транзисторах, сис-
        Mo, W                                         темы межсоединений в
                                                      скоростных ИС, СБИС
                                                                                   Низкое
  Гетероструктуры                                       Энергонезависимая
                                                                                 энергопо-
 (InAs/GaAs, Ge/Si,                                   память, фотоэмиттеры,
                                   МЛЭ, осаждение                               требление
     CdSe/ZnSe,                                        фотоприемники, тун-
                          1-202    из жидкостной,                                , высокая
    CdTe/ZnTe) с                                       нельно-резонансные
                                    газовой фазы                                  стабиль-
имплантированными                                      диоды, оптоволокон-
                                                                                   ность,
квантовыми точками                                         ные системы
                                                                                 скорость
                                    Магнетронное       Энергонезависимая и       Высокая
                                     напыление,       динамическая память,      скорость,
    Нанокомпозиты                     лазерная        конденсаторы, устрой-      высокое
                                      абляция,        ства на ПАВ, микроат-    напряжени
     (Наноразмерные       10-100     химическое        тенюаторы, датчики,      е пробоя,
    сегнетоэлектрики                осаждение из       оптические процессо-       низкие
    ЦТС, SrBi2Ta2O9)                газовой фазы       ры, световоды, линии       потери,
                                   (MOCVD), золь-     задержки, умножители         спец.
                                     гель метод            частоты и др.         свойства
                                                                               Многообра-
                                                      Пьезоэлементы, пьезо-    зие свойств,
                                                      датчики, диэлектрики,    доступность
                                      Спекание        полупроводники, про-      сырья, эко-
     Нанокерамика         1-100    неметаллически      водники, магнитные,      номичные
                                   х нанопорошков     оптические элементы,     технологии,
                                                        конструкционные        экологичнос
                                                       корпусные элементы            ть

                                                                             Эффектив
                                                                            -ные ката-
                                   Гидротермальны
                                                         Промежуточные      литические
                                    й синтез, золь-
                                                           структуры в       процессы,
                                    гель процессы,
                                                         технологическом      возмож-
                                     электрохими-
                                                      процессе изготовления ность се-
     Нанопористые                   ческие методы,
                          1-100                          наноэлектронных    лективной
      материалы                        обработка
                                                             изделий,        фильтра-
                                   хлором карбид-
                                                       мультикатализаторы; ции, фото-
                                   ных материалов,
                                                        источники энергии,  каталитиче
                                    создание НПМ
                                                             сенсоры        ские свой-
                                   на основе ДНК,
                                                                                ства,
                                                                            адсорбция
                                      Лазерное
 Сверхпроводники:
                                     осаждение,       Датчики магнитного и
       пленки                                                                  Экономич
                                      MOCVD,             ИК излучений,
  Y1B2C3O7(YBCO),                                                               -ность,
                          10-100    магнетронное       быстродействующие
      Zr(Y)O2,                                                                 быстодейс
                                    распыление,            цифровые и
(Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3O10                                                             твие
                                     аэрозольное      аналоговые элементы
     (BPSCCO)
                                        осажд.

2
       Например, кластеры с возможностью реализации квантово-размерных эффектов
реализуются только при нанесении слоев толщиной менее 10 монослоев Ge (3…7) [11]

                                                                                              2

Страницы