Наноразмерные структуры: классификация, формирование и исследование. Булыгина Е.В - 42 стр.

                       Рис.6.3. СТМ – отображение работы выхода.

      СТМ – отображение плотности состояний основывается на том, что измеряемый в
СТМ ток определяется процессами туннелирования через зазор зонд-поверхность образца его
величина зависит не только от высоты барьера, но также и от плотности электронных
состояний. Соответственно получаемые в СТМ изображения являются не просто
изображениями рельефа поверхности образца, на эти изображения может сильно влиять
распределение плотности электронных состояний по поверхности образца. Определение ЛПС
может также помочь в различении химической природы поверхностных атомов. Метод
основывается на измерении распределения ЛПС производится одновременно с получением
СТМ изображения. В процессе сканирования напряжение смещения модулируется на величину
dU. Частота модуляции выбирается много большей полосы пропускания системы обратной
связи СТМ. Результирующая модуляция туннельного тока dI измеряется, делится на dU и
результат представляется в качестве ЛПС изображения.




                    Рис.6.4. СТМ – отображение плотности состояний.
      Характерные величины туннельных токов при СТМ, регистрируемых в процессе
измерений, являются достаточно малыми – вплоть до 0,03 нA (а со специальными
измерительными СТМ головками – до 0,01 нA), что позволяет также исследовать плохо

                                                                                    5