Наноразмерные структуры: классификация, формирование и исследование. Булыгина Е.В - 55 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МГТУ им. Баумана | Москва

Составители: 

Рубрика: 

6
туннельным эффектом:
где e = 1,6 x 10-19 К – заряд электрона;
n = 1028 м-3 – концентрация электронов проводимости;
V = 106 м/с –скорость электронов;
F – площадь поперечного сечения пучка электронов;
D – вероятность прохождения электронов через зазор L.
Рис.6.19. Принцип работы туннельного микроскопа (1 - зонд; 2 – пучок электронов; 3 – объект
(образец); U – разность потенциалов между зондом и объектом; IТ – туннельный ток; L –
расстояние между зондом и объектом; F – площадь туннельного контакта).
Туннельный ток экспоненциально зависит от расстояния между зондом и образцом. При работе СТМ расстояние между объектом и
зондом L 0,3…1 нм.
Рис.6.20. Упрощенная схема обратной связи в АСМ. 
   туннельным эффектом:
   где e = 1,6 x 10-19 К – заряд электрона;
         n = 1028 м-3 – концентрация электронов проводимости;
         V = 106 м/с –скорость электронов;
         F – площадь поперечного сечения пучка электронов;
         D – вероятность прохождения электронов через зазор L.


 Рис.6.19. Принцип работы туннельного микроскопа (1 - зонд; 2 – пучок электронов; 3 – объект
   (образец); U – разность потенциалов между зондом и объектом; IТ – туннельный ток; L –
           расстояние между зондом и объектом; F – площадь туннельного контакта).
         Туннельный ток экспоненциально зависит от расстояния между зондом и образцом. При работе СТМ расстояние между объектом и
зондом L 0,3…1 нм.




                             Рис.6.20. Упрощенная схема обратной связи в АСМ.




                                                                                                                               6

Страницы