Полупроводниковые приборы. Бурькова Е.В. - 13 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

13
Рисунок 4.1 – Диаграммы несимметричного p-n - перехода
Концентрации донорной примеси n – области Nd меньше концентрации
акцепторной примеси в области Na. Соответственно различаются значения
равновесной концентрации основных носителей в p и n областях: Ppo > Nno,
(смотри рисунок 4.1 в). Изменение величин ЭДС поля E(x) и потенциала
)(x
ϕ
в
области p-n – перехода показано на рисунке 4.1 г,д. Величина Uk называется
контактной разностью потенциалов.
Если к p-n - переходу подключить обратное напряжение, то при
определенном его значении переход пробивается. Различают три вида пробоя:
туннельный, лавинный и тепловой (рисунок 4.2). Первые два связаны с
увеличением напряженности электрического поля в переходе, а третий — с
увеличением рассеиваемой мощности и, соответственно, температуры.
В основе туннельного пробоя лежит туннельный эффект, т.е.
«просачивание» электронов сквозь тонкий потенциальный барьер перехода. В
основе лавинного пробоя лежит «размножение» носителей в сильном
B
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
p
n
а)
Na
Nd
N(x)
0
x
б)
Ppo
N(x)
Nno
в)
0
0
E(x)
В/м
x
x
x
Uk
д)
г)
                                       -       +
                                       -       +
                                       -       +
                          p            -       +
                                                       n
                                       -       +
                                       -       +
                                                                      а)

                                               N(x)
                     Na




                                                           Nd         б)
                                                                      x
                                           0
                                               N(x)

                    Ppo




                                                                Nno

                                                                      в)
                                           0                      x

                                    E(x)
                                               В/м




                                                                      г)
                                       0                          x




                                               B




                                                                 Uk


                                                                  x   д)


      Рисунок 4.1 – Диаграммы несимметричного p-n - перехода
      Концентрации донорной примеси n – области Nd меньше концентрации
акцепторной примеси в области Na. Соответственно различаются значения
равновесной концентрации основных носителей в p и n областях: Ppo > Nno,
(смотри рисунок 4.1 в). Изменение величин ЭДС поля E(x) и потенциала ϕ (x) в
области p-n – перехода показано на рисунке 4.1 г,д. Величина Uk называется
контактной разностью потенциалов.
      Если к p-n - переходу подключить обратное напряжение, то при
определенном его значении переход пробивается. Различают три вида пробоя:
туннельный, лавинный и тепловой (рисунок 4.2). Первые два связаны с
увеличением напряженности электрического поля в переходе, а третий — с
увеличением рассеиваемой мощности и, соответственно, температуры.
      В основе туннельного пробоя лежит туннельный эффект, т.е.
«просачивание» электронов сквозь тонкий потенциальный барьер перехода. В
основе лавинного пробоя лежит «размножение» носителей в сильном

                                                                           13

Страницы