Полупроводниковые приборы. Бурькова Е.В. - 15 стр.

      Рисунок 4.3 - Схема для исследования прямой ветви ВАХ диода




       Рисунок 4.4 - Схема для исследования обратной ветви ВАХ диода
       Барьерную емкость принято разделять на две составляющие: барьерную
емкость, отражающую перераспределение зарядов в переходе, и диффузионную
емкость, отражающую перераспределение носителей в базе. Такое разделение в
общем условно, но оно удобно на практике, поскольку соотношение обеих
емкостей различно при изменении полярности приложенного напряжения. При
прямом напряжении главную роль играют избыточные заряды в базе и,
соответственно, диффузионная емкость. При обратном напряжении
избыточные заряды в базе малы и главную роль играет барьерная емкость. Обе
емкости нелинейны: диффузионная емкость зависит от прямого тока, а
барьерная — от обратного напряжения.
       Набор задаваемых параметров для диодов в EWB 5.0 заметно больше по
сравнению с EWB 4.1. Диалоговое окно для задания параметров диодов в EWB
5.0 состоит из двух одинаковых по внешнему виду закладок с помощью
которых можно задать следующие параметры:
       IS – обратный ток;
       RS – сопротивление диода;
       CJO – баръерная емкость диода при нулевом напряжении на переходе;
       TT – время переключения;
       N — коэффициент инжекции;
       ЕG — ширина запрещенной зоны, эВ;
       FC — коэффициент нелинейности барьерной емкости прямо
смещенного перехода;
       BV —напряжение пробоя (положительная величина, в EWB 4.1 она
принята отрицательной), В;
       IBV — начальный ток пробоя при напряжении BV;
       ХТI — температурный коэффициент тока насыщения;
       КF — коэффициент фликкер-шума;
       AF — показатель степени в формуле для фликкер-шума;
       TNOM — температура диода, «С.
       Кроме одиночных диодов, в библиотеке EWB имеется также диодный
мостик, для которого можно дополнительно задать коэффициент эмиссии N.
                                                                        15