Полупроводниковые приборы. Бурькова Е.В. - 17 стр.

                   I пр
       К   в   =
                   I обр

     4.4 Контрольные вопросы
       4.4.1 Какие физические процессы происходят в p-n переходе в
отсутствие внешнего напряжения. Чему равен результирующий ток?
       4.4.2 Чем обусловлены диффузионная и дрейфовая составляющие тока
p-n перехода?
       4.4.3 Что такое пробой p-n перехода? Его виды.
       4.4.4 Виды диодов.

5 Лабораторная работа №2. Изучение биполярных
транзисторов
     5.1 Цель работы
      Изучение особенностей работы биполярных транзисторов в разных
схемах включения, построение статических характеристик

     5.2 Общие сведения
        Биполярный транзистор - это полупроводниковый прибор, содержащий
два взаимодействующих p-n перехода и предназначенный для генерации,
усиления и преобразования сигналов электромагнитной природы. В
зависимости от чередования слоев существуют транзисторы типов p-n-p и n-p-
n. ( рисунок 5.1 ).
                           n-p-n        p-n-p
                                                э
                               к
                       б
                                    б

                               э                к


      Рисунок 5.1 – Условное обозначение транзисторов
       Трехслойная структура создается по сплавной или диффузной
технологии. Один из слоев называется эмиттерным, его функция –
инжектирование носителей заряда в базу; другой слой называется
коллекторным, его функция – сбор носителей заряда. Пластина
полупроводника, на которую наплавляют коллектор и эмиттер называется
базой. Чтобы носители заряда, инжектированные эмиттером и проходящие
через базу, полнее собирались коллектором, площадь коллекторного перехода
делают больше площади эмиттерного перехода.




                                                                        17