Полупроводниковые приборы. Бурькова Е.В. - 19 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

19
Рисунок 5.3 – Выходные характеристики транзистора подключенного по
схеме с ОБ
Рисунок 5.4 – Выходные характеристики транзистора подключенного по
схеме с ОЭ
В библиотеку EWB включено достаточно большое количество
импортных биполярных транзисторов, отечественные аналоги которых можно
найти в справочной литературе. В некоторых случаях может оказаться более
удобным самостоятельно создать отдельную библиотеку отечественных
транзисторов.
В состав параметров транзисторов включены следующие:
1) Обратный ток коллекторного перехода - IS;
2) Коэффициент усиления тока в схеме с ОЭ - BF;
3) Коэффициент усиления тока в схеме с ОЭ при инверсном
включении транзистора (эмиттер и коллектор меняются местами) - BR;
4) Объемное сопротивление базы, Ом - RB;
5) Объемное сопротивление коллектора, Ом - RC;
6) Объемное сопротивление эмиттера. Ом - RE;
7) Емкость эмиттерного перехода при нулевом напряжении, Ф - CJE;
8) Емкость коллекторного перехода при нулевом напряжении, Ф -
CJC;
9) Емкость коллектор-подложка, Ф - CJS;
10) Время переноса заряда через базу, с - TF;
11) Время переноса заряда через базу в инверсном включении, с - TR;
12) Коэффициент плавности эмиттерного перехода - ME;
13) Коэффициент плавности коллекторного перехода - MC;
14) Напряжение Эрли, близкое к параметру Uk max В - VA;
15) Обратный ток эмиттерного перехода, А - ISE;
Iэ=0
0 1020304050
5
Ik,
mA
-Uкб
B
Iэ > 0
Iб= - Iко
05101520
5
-Uкэ, B
Iб > 0
Iб = 0
                       Ik,
                       mA
                                  Iэ > 0


           5


                                     Iэ=0                      -Uкб
                                                                 B

                   0         10       20        30      40    50
       Рисунок 5.3 – Выходные характеристики транзистора подключенного по
схеме с ОБ


                                   Iб > 0


                                    Iб = 0
               5
                                                                   -Uкэ, B
                                       Iб= - Iко

                       0      5            10      15    20
       Рисунок 5.4 – Выходные характеристики транзистора подключенного по
схеме с ОЭ
       В библиотеку EWB включено достаточно большое количество
импортных биполярных транзисторов, отечественные аналоги которых можно
найти в справочной литературе. В некоторых случаях может оказаться более
удобным самостоятельно создать отдельную библиотеку отечественных
транзисторов.
       В состав параметров транзисторов включены следующие:
       1) Обратный ток коллекторного перехода - IS;
       2) Коэффициент усиления тока в схеме с ОЭ - BF;
       3) Коэффициент усиления тока в схеме с ОЭ при инверсном
включении транзистора (эмиттер и коллектор меняются местами) - BR;
       4) Объемное сопротивление базы, Ом - RB;
       5) Объемное сопротивление коллектора, Ом - RC;
       6) Объемное сопротивление эмиттера. Ом - RE;
       7) Емкость эмиттерного перехода при нулевом напряжении, Ф - CJE;
       8) Емкость коллекторного перехода при нулевом напряжении, Ф -
CJC;
       9) Емкость коллектор-подложка, Ф - CJS;
       10) Время переноса заряда через базу, с - TF;
       11) Время переноса заряда через базу в инверсном включении, с - TR;
       12) Коэффициент плавности эмиттерного перехода - ME;
       13) Коэффициент плавности коллекторного перехода - MC;
       14) Напряжение Эрли, близкое к параметру Uk max В - VA;
       15) Обратный ток эмиттерного перехода, А - ISE;
                                                                             19

Страницы