Полупроводниковые приборы. Бурькова Е.В. - 21 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

21
Вольтамперные характеристики. Схема для исследования ВАХ
транзистора показана на рисунке 5.5. Семейство входных ВАХ снимается при
фиксированных значениях Ukb путем изменения тока Ie и измерения Ueb.
Семейство выходных ВАХ снимается при фиксированных значениях Ie, путем
изменения напряжения Ukb, и измерения Ik.
5.3 Задание
5.3.1 Собрать схему для снятия характеристик транзистора с ОБ в
соответствии с рисунком 5.6.
Рисунок 5.6 - Исследование ВАХ биполярного транзистора в схеме с
общей базой.
В таблице 5.1 приведены предельно допустимые электрические
параметры некоторых плоскостных транзисторов типа p-n-p .
Таблица 5.1 – Предельно допустимые электрические параметры плоскостных
транзисторов типа p-n-p
Тип транзистора Наибольший ток
коллектора
I
к
,
mA
Наибольшее напря-
жение между кол-
лектором и базой
U
КБ мах
, В
Наибольшее напря-
жение между кол-
лектором и эмиттером
U
КЭ мах
, В
Наибольшее напря-
жение между эмиттером
и базой
U
ЭБ мах обр
, В
МП 40 20 15 15 15
МП 41 20 15 15 15
МП 202 2000 45 55 45
МП 10 10 10 10 1
Ориентировочные номиналы элементов схемы :
Е1= 1 ÷ 5 В, Е2= 20 ÷ 30 В.
Измерительные приборы подбираются удобными для снятия входных и
выходных характеристик: mA1 и mA2 – 30 мА , mV – 300 мВ, V – 30 В.
5.3.2 Установить напряжение U
БК
с помощью потенциометра R2 порядка
50-60% от наибольшего значения этого напряжения для данного транзистора.
Поддерживая это напряжение неизменным изменять напряжение U
КЭ
от 0 до
300-400 мВ. Следить за показаниями амперметра mA1. Величина тока I
Э
должна изменяться в пределах, достаточных для снятия входной
характеристики транзистора.
Все измеренные значения занести в таблицу. 
      Вольтамперные характеристики. Схема для исследования ВАХ
транзистора показана на рисунке 5.5. Семейство входных ВАХ снимается при
фиксированных значениях Ukb путем изменения тока Ie и измерения Ueb.
Семейство выходных ВАХ снимается при фиксированных значениях Ie, путем
изменения напряжения Ukb, и измерения Ik.

       5.3        Задание
       5.3.1 Собрать схему для снятия характеристик транзистора с ОБ в
соответствии с рисунком 5.6.




      Рисунок 5.6 - Исследование ВАХ биполярного транзистора в схеме с
общей базой.
      В таблице 5.1 приведены предельно допустимые электрические
параметры некоторых плоскостных транзисторов типа p-n-p .

Таблица 5.1 – Предельно допустимые электрические параметры плоскостных
транзисторов типа p-n-p

Тип транзистора    Наибольший ток   Наибольшее напря-   Наибольшее напря-      Наибольшее напря-
                   коллектора       жение между кол-    жение между кол-       жение между эмиттером
                   Iк , mA          лектором и базой    лектором и эмиттером   и базой
                                    UКБ мах , В         UКЭ мах , В            UЭБ мах обр , В
МП 40                   20                  15                  15                     15
МП 41                   20                  15                  15                     15
МП 202                 2000                 45                  55                     45
МП 10                   10                  10                  10                     1

       Ориентировочные номиналы элементов схемы :
       Е1= 1 ÷ 5 В, Е2= 20 ÷ 30 В.
       Измерительные приборы подбираются удобными для снятия входных и
выходных характеристик: mA1 и mA2 – 30 мА , mV – 300 мВ, V – 30 В.
       5.3.2 Установить напряжение UБК с помощью потенциометра R2 порядка
50-60% от наибольшего значения этого напряжения для данного транзистора.
Поддерживая это напряжение неизменным изменять напряжение UКЭ от 0 до
300-400 мВ. Следить за показаниями амперметра mA1. Величина тока IЭ
должна изменяться в пределах, достаточных для снятия входной
характеристики транзистора.
       Все измеренные значения занести в таблицу.
                                                                                               21

Страницы