Полупроводниковые приборы. Бурькова Е.В. - 22 стр.

      Таблица 5.2 – Результаты снятия входных статических характеристик
        IЭ = ƒ(UЭБ) при UКБ = const
        UКб =   ,В                 U’Кб =    ,В               U”Кб =     ,В
UЭБ   , В     IЭ , mA      UЭБ   , В      IЭ , mA     UЭБ   , В      IЭ , mA


       5.3.3 Выходные статические характеристики снимать для тока эмиттера
0, 100, 150, 200 мкА. Эти значения тока установить потенциометром R1 и
поддерживать неизменными. Напряжение UКб изменять с помощью R2 от 0 до
15-20 В. Данные занести в таблицу 5.3.
       IК = ƒ(UКБ) при IЭ = const

      Таблица 5.3 – Результаты снятия выходных статических характеристик
        IЭ = , mA                  I’Э = , mA                I”Э = , mA
UКБ   , В     IК , mA        UКб , В     IК , mA      UКБ , В      IК , mA


       5.3.4 По таблицам 5.1, 5.2 и 5.3 построить входные и выходные
характеристики транзистора в схеме с ОБ. Подсчитать коэффициент α
       5.3.5 Построить схему включения транзистора с ОЭ в соответствии с
рисунком 5.7.




     Рисунок 5.7 - Исследование ВАХ биполярного транзистора в схеме с
общим эмиттером.
       5.3.6 Входные статические характеристики транзистора снимают для
трех значений UКЭ, их устанавливают потенциометром R2. Поддерживая это
напряжение неизменным, изменяют напряжение между базой и эмиттером UБЭ
(потенциометр R1) от 0 до 200-300 мВ, следят за показаниями прибора,
измеряющего ток IБ до 200 мкА. Значения записывают в таблицу 5.4.

       Таблица 5.4 – Входные статические характеристики в схеме с ОЭ
        UКЭ =    ,В                U’КЭ =     ,В              U”КЭ =     ,В
UБЭ   , В     IБ , mA      UБЭ   , В      IБ , mA     UБЭ   , В      IБ , mA

22