Полупроводниковые приборы. Бурькова Е.В. - 24 стр.

способа и основаны они на эффекте поля (управление напряжением на затворе).
Поэтому     униполярные     транзисторы    обычно    называют    полевыми
транзисторами. Проводящий слой, по которому протекает ток, называют
каналом. Отсюда еще одно название такого класса транзисторов — канальные
транзисторы.
       Каналы     могут    быть     приповерхностными     и    объемными.
Приповерхностные каналы представляют собой либо обогащенные слои,
обусловленные наличием донорных примесей в диэлектрике, либо
инверсионные слои, образующиеся под действием внешнего поля. Объемные
же каналы представляют собой участки однородного полупроводника,
отделенные от поверхности обедненным слоем.
       Транзисторы с объемным каналом отличаются тем, что обедненный
слой создается с помощью p-n-перехода. Поэтому их часто называют полевыми
транзисторами с p-n-переходом или просто полевые транзисторы. Транзисторы
такого типа впервые описаны Шокли в 1952 г

                                      с                     с
                             з                   з
                                      и а)                  и б)
      а) с каналом n – типа,
      б) с каналом p – типа.
      Рисунок 6.1 – Условное обозначение полевых транзисторов
      Электрод, от которого начинают движение носители заряда, называют
истоком, а электрод, к которому они движутся, - стоком. Для транзистора с
каналом n-типа, оба p-слоя электрически связаны между собой и имеют общий
внешний электрод, называемый затвором. Полярность внешних напряжений,
подводимых к транзистору показана на рисунке 6.2
                                               канал


                                                 p



                      и                                            с
                                           n



                                                 p




                                     Uзи
                                 +     -
                                                      Uси
                                                  -     +

      Рисунок 6.2 – Полярность внешних напряжений приложенных к
полевому транзистору
       Управляющее напряжение подается между затвором и истоком.
Управляющие свойства транзистора объясняются тем, что при изменении
напряжения Uзи изменяется ширина его p-n – переходов, представляющие
собой участки полупроводника, обедненные носителями заряда. Так как p-слой
имеет большую концентрацию примеси, чем n-слой, изменение ширины p-n –
переходов происходит в основном за счет более высокоомного n-слоя (эффект
модуляции базы). Тем самым изменяются сечение токопроводящего канала и
24