Полупроводниковые приборы. Бурькова Е.В. - 25 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

25
его проводимость, то есть выходной ток Ic прибора.
Вольт-амперные характеристики полевых транзисторов с p-n –
переходом - стоковые отражают зависимость тока стока от напряжения сток –
исток при фиксированном напряжении затвор – исток.
Рисунок 6.3 – Семейство стоковых характеристик полевого транзистора
с p-n – переходом
В области малых напряжений (участок 0 – а , рисунок 6.3) влияние
напряжения Uси на проводимость канала незначительно, в связи с чем здесь
практически линейная зависимость. По мере увеличения напряжения (участок
а-б на рисунке 6.3) сужение токопроводящего канала оказывает все большее
влияние на его проводимость, что приводит к уменьшению крутизны
нарастания тока. При подходе к границе (точка б) сечение токопроводящего
канала уменьшается до минимума. Дальнейшее увеличение напряжения на
стоке не должно приводить к увеличению тока через прибор. Наличие
увеличения тока объясняется тем, что у реальных приборов существуют утечки.
Стоко-затворная характеристика полевого транзистора показывает
зависимость тока стока от напряжения затвор – исток при фиксированном
напряжении сток – исток.
Рисунок 6.4 – Стоко-затворная характеристика полевого транзистора с p-
n – переходом
Параметры моделей полевых транзисторов задаются с помощью
0
2
4
6
8
10
5
10
15
-1.5
-1.0
-0.5
Uзи=0
Ic,
мА
Uси
В
а
б
в
1.5 1.0 0.5
2
4
6
8
10
Ic
mA
Uзи
В
его проводимость, то есть выходной ток Ic прибора.
       Вольт-амперные характеристики полевых транзисторов с p-n –
переходом - стоковые отражают зависимость тока стока от напряжения сток –
исток при фиксированном напряжении затвор – исток.

                    Ic,
                    мА
                              б         Uзи=0        в
               10

               8     а                  -0.5

               6
                                        -1.0
               4
                                                               Uси
               2                        -1.5                    В

                0
                          5       10            15
        Рисунок 6.3 – Семейство стоковых характеристик полевого транзистора
с p-n – переходом
       В области малых напряжений (участок 0 – а , рисунок 6.3) влияние
напряжения Uси на проводимость канала незначительно, в связи с чем здесь
практически линейная зависимость. По мере увеличения напряжения (участок
а-б на рисунке 6.3) сужение токопроводящего канала оказывает все большее
влияние на его проводимость, что приводит к уменьшению крутизны
нарастания тока. При подходе к границе (точка б) сечение токопроводящего
канала уменьшается до минимума. Дальнейшее увеличение напряжения на
стоке не должно приводить к увеличению тока через прибор. Наличие
увеличения тока объясняется тем, что у реальных приборов существуют утечки.
       Стоко-затворная характеристика полевого транзистора показывает
зависимость тока стока от напряжения затвор – исток при фиксированном
напряжении сток – исток.

                                                 Ic
                                                 mA        10


                                                           8


                                                           6


                                                           4


                                                           2
                     Uзи
                      В
                                  1.5     1.0        0.5

       Рисунок 6.4 – Стоко-затворная характеристика полевого транзистора с p-
n – переходом
       Параметры моделей полевых транзисторов задаются с помощью
                                                                           25

Страницы