Полупроводниковые приборы. Бурькова Е.В. - 27 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

27
МДП-транзисторы бывают двух типов: транзисторы со встроенным и с
индуцированным каналами (в последнем случае канал наводится под действием
напряжения, приложенного к управляющим электродам).
Рисунок 6.6 – Условные обозначения МДП транзисторов со встроенным
каналом n и p – типа (а, б); с индуцированным каналом (в).
МДП – транзисторы в общем случае представляют собой приборы с
четырьмя выводами. Четвертый вывод, подложка, выполняет вспомогательную
функцию.
Стоковые характеристики полевого транзистора со встроенным каналом
n – типа показаны на рисунке 6.7.
Рисунок 6.7 – Стоковые характеристики МДП - транзистора
Стоко-затворные характеристики МДП – транзистора показаны на
рисунке 6.8.
Рисунок 6.8 – Стоко-затворная характеристика МДП – транзистора.
Транзисторы со встроенным каналом могут работать как в режиме
обеднения канала носителями заряда, так и в режиме обогащения. Транзисторы
с
и
з
с
и
з
с
и
з
а) в)б)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
5
10
15
-0.3
Uзн=0
0.1
Uзи=0.3
Ic
мА
Uси
В
а
б
в
-0.4 -0.2
0.2
0.5
1.0
1.5
2.0
Ic
mA
Uзи
В
режим обедения
режим
обогащения
      МДП-транзисторы бывают двух типов: транзисторы со встроенным и с
индуцированным каналами (в последнем случае канал наводится под действием
напряжения, приложенного к управляющим электродам).

                          с                           с                         с
                з                          з                          з
                         и                            и                         и
                                а)                        б)                    в)
       Рисунок 6.6 – Условные обозначения МДП транзисторов со встроенным
каналом n и p – типа (а, б); с индуцированным каналом (в).
       МДП – транзисторы в общем случае представляют собой приборы с
четырьмя выводами. Четвертый вывод, подложка, выполняет вспомогательную
функцию.
       Стоковые характеристики полевого транзистора со встроенным каналом
n – типа показаны на рисунке 6.7.


                              Ic
                              мА
                                       б                        Uзи=0.3 в
                    2.0

                              а                                 0.1
                    1.5

                                                           Uзн=0
                    1.0

                                                                                       Uси
                    0.5                                        -0.3
                                                                                        В
                     0             5                  10              15
      Рисунок 6.7 – Стоковые характеристики МДП - транзистора
      Стоко-затворные характеристики МДП – транзистора показаны на
рисунке 6.8.
                                                                      Ic
                                                                      mA


                                                                2.0


                                                               1.5
                                     режим обедения
                                                                            режим
                                                                1.0       обогащения



                                                                0.5
                          Uзи
                           В
                                               -0.4        -0.2           0.2

      Рисунок 6.8 – Стоко-затворная характеристика МДП – транзистора.
      Транзисторы со встроенным каналом могут работать как в режиме
обеднения канала носителями заряда, так и в режиме обогащения. Транзисторы

                                                                                             27

Страницы