Полупроводниковые приборы. Бурькова Е.В. - 26 стр.

диалогового окна и перечислены ниже:
       1) Напряжение отсечки (VTO) — напряжение между затвором и
истоком полевого транзистора с p-n- переходом или с изолированным затвором,
работающих в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного
низкого напряжения. Для транзисторов с изолированным затвором, ра-
ботающих в режиме обогащения, этот параметр называется пороговым
напряжением;
       2) Коэффициент пропорциональности – KP;
       3) Параметр модуляции длины канала, 1/В –LAMBDA;
       4) Объемное сопротивление области стока, Ом – RD;
       5) Объемное сопротивление области истока, Ом – RS;
       6) Ток насыщения p-n-перехода, — только для полевых транзисторов с
p-n-переходом – IS;
       7) Емкость между затвором и стоком при нулевом смещении, Ф – CGD;
       8) Емкость между затвором и истоком при нулевом смещении, Ф – CGS;
       9) Контактная разность потенциалов p-n-перехода, В — только для
полевых транзисторов с p-n-переходом – PB.




      Рисунок 6.5 - Схема для исследования ВАХ полевого транзистора с
управляющим p-n-переходом

       По аналогии с биполярными транзисторами различают три схемы
включения полевых транзисторов: с общим затвором (03), с общим истоком
(ОИ) и с общим стоком (ОС).
       Для исследования семейства выходных ВАХ полевого транзистора в
схеме с ОИ может быть использована схема на рисунке 6.5. Она содержит
источник напряжения затвор-исток Ug, исследуемый транзистор VT, источник
питания Ucc, вольтметр Ud для контроля напряжения сток-исток и амперметр
Id для измерения тока стока. Выходная ВАХ снимается при фиксированных
значениях Ug путем изменения напряжения Ud. и измерения тока стока Id,
Напряжение Ug, при котором ток Id имеет близкое к нулю значение, называется
напряжением отсечки.
       Располагая характеристиками Id=f(Ud), можно определить крутизну
S=dId/dUg, являющейся одной из важнейших характеристик полевого
транзистора как усилительного прибора.
       Другой тип полевых транзисторов — транзисторы с приповерхностным
каналом и структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-транзисторы).
В частном случае, если диэлектриком является окисел (двуокись кремния),
используется название МОП-транзисторы.

26