Полупроводниковые приборы. Бурькова Е.В. - 29 стр.

инверсного слоя будут практически полностью вытеснены вглубь
полупроводника и канал исчезнет. При приложении отрицательного
напряжения канал расширяется и ток снова увеличивается. Таким образом,
МДП-транзисторы со встроенными каналами работают в режимах как
обеднения, так и обогащения.
       Как и полевые транзисторы с управляющим p-n- переходом, МДП-
транзисторы при малых напряжениях сток—исток ведут себя подобно
линейному сопротивлению. При увеличении этого напряжения ширина канала
уменьшается вследствие падения на нем напряжения и уменьшении
напряженности электрического поля. Особенно сильно это проявляется в той
части канала, которая находится вблизи стока. Перепады напряжения,
создаваемые током стока Id, приводят к неравномерному распределению
смещения на затворе вдоль канала, причем оно уменьшается по мере
приближения к стоку.
       Важным преимуществом МДП-транзисторов по сравнению с
биполярными является малое падение напряжения на них при коммутации
малых сигналов. Так, если в биполярных транзисторах в режиме насыщения
напряжение коллектор-эмиттер принципиально не может быть меньше
нескольких десятых долей вольт, то для МДП-транзисторов при малых токах
стока это напряжение при работе транзистора в начальной области выходной
ВАХ может быть сведено к ничтожно малой величине.
       Стоковые характеристики полевого транзистора с индуцированным
каналом n-типа очень близки по виду аналогичным характеристикам
транзистора со встроенным каналом и имеют тот же характер зависимости.
Отличие заключается в том, что управление током транзистора осуществляется
напряжением одной полярности, совпадающей с полярностью напряжения Uси.
Их вид приведен на рисунке 6.9.



                       Ic
                       мА
                                б        Uзи=6    в
                 20

                       а                 5
                  15

                                         4
                  10

                  5                                   Uси
                                         3
                                                       В
                  0         5       10       15



      Рисунок 6.9 – Стоковые характеристики




                                                                        29