Полупроводниковые приборы. Бурькова Е.В. - 30 стр.

      Стоко-затворные характеристики показаны на рисунке 6.10.
                                 Ic
                                 mA


                          20          Uси = 10 В



                          15


                           10


                            5
                                                   Uзи
                                                    В
                                 2       4         6

      Рисунок 6.10 – Стоко-затворные характеристики МДП – транзистора с
индуцированным каналом
       В библиотеке компонентов программы EWB МДП-транзисторы со
встроенным каналом представлены двумя образцами: n-канальным и p-
канальным. Каждый тип МДП-транзистора представлен в двух вариантах: с
отдельным выводом подложки и общим выводом подложки и истока.
       Параметры МДП – транзисторов:
       1) Поверхностный потенциал, В – PHI;
       2) Коэффициент влияния потенциала подложки на пороговое
напряжение – GAMMA;
       3) Емкость между затвором и подложкой, Ф – CGB;
       4) Емкость донной части перехода сток-подложка при нулевом
смещении, Ф – CBD;
       5) Емкость донной части перехода исток-подложка при нулевом
смещении, Ф – CBS;
       6) Напряжение инверсии приповерхностного слоя подложки, В – PB.
       В программе EWB 5.0 количество параметров моделей МДП-
транзисторов увеличено. Они размещаются в трех диалоговых окнах-закладках.
К дополнительно введенным относятся следующие параметры:
       LD — длина области боковой диффузии, м;
       RSH — удельное сопротивление диффузионных областей истока и
стока, Ом;
       JS — плотность тока насыщения перехода сток (исток)-подложка, А/м2;
       CJ — удельная емкость донной части р— га-перехода сток (исток)-
подложка при нулевом смещении, Ф/м2;
       CJSW — удельная емкость боковой поверхности перехода сток (исток)-
подложка, Ф/м;
       MJ — коэффициент плавности перехода подложка-сток (исток);
       CGSO — удельная емкость перекрытия затвор-исток (за счет боковой
диффузии), Ф/м;
       CGDO — удельная емкость перекрытия затвор-сток на длину канала (за
счет боковой диффузии), Ф/м;
       CGBO — удельная емкость перекрытия затвор-подложка (вследствие
выхода области затвора за пределы канала), Ф/м;
       NSUB — уровень легирования подложки, 1/см3;
30