ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
32
Таблица 7.2 – Экспериментальные данные
Iс, мА Uзи, В
6.3.5 Определить крутизну стоко-затворной характеристики
dUз
U
dIc
S =
,
при Uси = const.
Типичные значения параметров транзисторов:
Uзи = 0.8 – 10 В – напряжение отсечки;
Ri = 0.02 – 0.5 МОм – внутреннее сопротивление транзистора;
S = 0.3 – 7 мА/В – крутизна стоко-затворной характеристики;
Rвх = 10
8
– 10
9
Ом – входное сопротивление транзистора;
Сиз = Сси = 6 - 20 пФ, Сзс = 2 – 8 пФ – межелектродные емкости.
6.4 Контрольные вопросы
6.4.1 Чем обусловлено название полевых транзисторов?
6.4.2 Чем объясняется управляющие свойства полевых транзисторов с
p-n - переходом?
6.4.3 В чем различие полевых транзисторов транзисторов с p-n –
переходом и МДП – транзисторов?
6.4.4 Каковы основные параметры полевых транзисторов с p-n –
переходом?
6.4.5 Что такое режим обеднения и режим обогащения в МДП –
транзисторах?
6.4.6 Каковы преимущества МДП – транзисторов перед биполярными
транзистрорами?
7 Лабораторная работа № 4. Исследование тиристора
7.1 Цель работы
Исследование физических процессов, происходящих в тиристоре,
построение его вольтамперной характеристики, изучение способов
переключения тиристора.
7.2 Общие сведения
Тиристор – это четырехслойный полупроводниковый прибор,
обладающий двумя устойчивыми состояниями: состоянием низкой
проводимости (тиристор закрыт) и состоянием высокой проводимости
(тиристор открыт).
Тиристор как ключевой элемент нашел широкое применение в цепях
постоянного и переменного токов. Режим работы, когда отпирание прибора
следует после достижения на нем напряжения переключения (переключение по
цепи анода), используется в схемах с динисторами. Для тиристора
переключение по цепи анода представляет интерес лишь с точки зрения
анализа принципа действия. Практически же применяется режим отпирания
Таблица 7.2 – Экспериментальные данные Iс, мА Uзи, В dIc 6.3.5 Определить крутизну стоко-затворной характеристики S = , dUзU при Uси = const. Типичные значения параметров транзисторов: Uзи = 0.8 – 10 В – напряжение отсечки; Ri = 0.02 – 0.5 МОм – внутреннее сопротивление транзистора; S = 0.3 – 7 мА/В – крутизна стоко-затворной характеристики; Rвх = 108 – 109 Ом – входное сопротивление транзистора; Сиз = Сси = 6 - 20 пФ, Сзс = 2 – 8 пФ – межелектродные емкости. 6.4 Контрольные вопросы 6.4.1 Чем обусловлено название полевых транзисторов? 6.4.2 Чем объясняется управляющие свойства полевых транзисторов с p-n - переходом? 6.4.3 В чем различие полевых транзисторов транзисторов с p-n – переходом и МДП – транзисторов? 6.4.4 Каковы основные параметры полевых транзисторов с p-n – переходом? 6.4.5 Что такое режим обеднения и режим обогащения в МДП – транзисторах? 6.4.6 Каковы преимущества МДП – транзисторов перед биполярными транзистрорами? 7 Лабораторная работа № 4. Исследование тиристора 7.1 Цель работы Исследование физических процессов, происходящих в тиристоре, построение его вольтамперной характеристики, изучение способов переключения тиристора. 7.2 Общие сведения Тиристор – это четырехслойный полупроводниковый прибор, обладающий двумя устойчивыми состояниями: состоянием низкой проводимости (тиристор закрыт) и состоянием высокой проводимости (тиристор открыт). Тиристор как ключевой элемент нашел широкое применение в цепях постоянного и переменного токов. Режим работы, когда отпирание прибора следует после достижения на нем напряжения переключения (переключение по цепи анода), используется в схемах с динисторами. Для тиристора переключение по цепи анода представляет интерес лишь с точки зрения анализа принципа действия. Практически же применяется режим отпирания 32
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 30
- 31
- 32
- 33
- 34
- …
- следующая ›
- последняя »