Полупроводниковые приборы. Бурькова Е.В. - 32 стр.

UptoLike

Составители: 

Рубрика: 

32
Таблица 7.2 – Экспериментальные данные
Iс, мА Uзи, В
6.3.5 Определить крутизну стоко-затворной характеристики
dUз
U
dIc
S =
,
при Uси = const.
Типичные значения параметров транзисторов:
Uзи = 0.8 – 10 Внапряжение отсечки;
Ri = 0.02 – 0.5 МОмвнутреннее сопротивление транзистора;
S = 0.3 – 7 мА/Вкрутизна стоко-затворной характеристики;
Rвх = 10
8
– 10
9
Омвходное сопротивление транзистора;
Сиз = Сси = 6 - 20 пФ, Сзс = 2 – 8 пФмежелектродные емкости.
6.4 Контрольные вопросы
6.4.1 Чем обусловлено название полевых транзисторов?
6.4.2 Чем объясняется управляющие свойства полевых транзисторов с
p-n - переходом?
6.4.3 В чем различие полевых транзисторов транзисторов с p-n –
переходом и МДПтранзисторов?
6.4.4 Каковы основные параметры полевых транзисторов с p-n –
переходом?
6.4.5 Что такое режим обеднения и режим обогащения в МДП
транзисторах?
6.4.6 Каковы преимущества МДПтранзисторов перед биполярными
транзистрорами?
7 Лабораторная работа 4. Исследование тиристора
7.1 Цель работы
Исследование физических процессов, происходящих в тиристоре,
построение его вольтамперной характеристики, изучение способов
переключения тиристора.
7.2 Общие сведения
Тиристорэто четырехслойный полупроводниковый прибор,
обладающий двумя устойчивыми состояниями: состоянием низкой
проводимости (тиристор закрыт) и состоянием высокой проводимости
(тиристор открыт).
Тиристор как ключевой элемент нашел широкое применение в цепях
постоянного и переменного токов. Режим работы, когда отпирание прибора
следует после достижения на нем напряжения переключения (переключение по
цепи анода), используется в схемах с динисторами. Для тиристора
переключение по цепи анода представляет интерес лишь с точки зрения
анализа принципа действия. Практически же применяется режим отпирания
      Таблица 7.2 – Экспериментальные данные

      Iс, мА                                 Uзи, В

                                                                         dIc
      6.3.5 Определить крутизну стоко-затворной характеристики S =           ,
                                                                        dUзU
при Uси = const.
      Типичные значения параметров транзисторов:
      Uзи = 0.8 – 10 В – напряжение отсечки;
      Ri = 0.02 – 0.5 МОм – внутреннее сопротивление транзистора;
      S = 0.3 – 7 мА/В – крутизна стоко-затворной характеристики;
      Rвх = 108 – 109 Ом – входное сопротивление транзистора;
      Сиз = Сси = 6 - 20 пФ, Сзс = 2 – 8 пФ – межелектродные емкости.

     6.4 Контрольные вопросы
        6.4.1 Чем обусловлено название полевых транзисторов?
        6.4.2 Чем объясняется управляющие свойства полевых транзисторов с
p-n - переходом?
        6.4.3 В чем различие полевых транзисторов транзисторов с p-n –
переходом и МДП – транзисторов?
        6.4.4 Каковы основные параметры полевых транзисторов с p-n –
переходом?
        6.4.5 Что такое режим обеднения и режим обогащения в МДП –
транзисторах?
        6.4.6 Каковы преимущества МДП – транзисторов перед биполярными
транзистрорами?

7 Лабораторная работа № 4. Исследование тиристора
     7.1 Цель работы
      Исследование физических процессов, происходящих в тиристоре,
построение его вольтамперной характеристики, изучение способов
переключения тиристора.

     7.2 Общие сведения
       Тиристор – это четырехслойный полупроводниковый прибор,
обладающий двумя устойчивыми состояниями: состоянием низкой
проводимости     (тиристор закрыт) и состоянием высокой проводимости
(тиристор открыт).
       Тиристор как ключевой элемент нашел широкое применение в цепях
постоянного и переменного токов. Режим работы, когда отпирание прибора
следует после достижения на нем напряжения переключения (переключение по
цепи анода), используется в схемах с динисторами. Для тиристора
переключение по цепи анода представляет интерес лишь с точки зрения
анализа принципа действия. Практически же применяется режим отпирания

32