Полупроводниковые приборы. Бурькова Е.В. - 33 стр.

тиристора по управляющему электроду, то есть за счет подачи на управляющий
электрод отпирающего импульса напряжения.
       Основные параметры тиристоров:
       Uвкл – прямое анодное напряжение, при котором происходит включение
тиристора;
       Iвкл – ток включения;
       Iу вкл – отпирающий ток управления - наименьший ток в цепи
управляющего электрода, который обеспечивает переключение при данном
напряжении анода;
       Iпр max – максимально допустимый ток в прямом направлении
       Существуют двухэлектродные тиристоры - динисторы; трехэлектродные
тиристоры - тринисторы, в которых возможно управление напряжением
включения тиристора. Разработаны тиристоры, имеющие одинаковые ВАХ при
различной полярности приложенного напряжения. Это симметричные
тиристоры - симисторы. Включение тиристора как это следует из
вышесказанного, можно производить: а) путем медленного увеличения
анодного напряжения; б) путем подачи напряжения на управляющий электрод.
Возможно также включение тиристора путем быстрого увеличения анодного
напряжения. При этом через прибор будут протекать значительные емкостные
токи, приводящие к уменьшению напряжения включения с ростом скорости
изменения напряжения ∂U ∂t .
       Восстановление запирающих свойств осуществляется за счёт
приложения к тиристору обратного напряжения. Величина tв определяет время
в течение которого происходит полное рассасывание носителей заряда в
базовых слоях ранее проводившего тиристора при приложении обратного
напряжения, по окончании которого к приборы может быть вновь приложено
напряжение в прямом направлении без опасения его самопроизвольного
отпирания. Процесс восстановления запирающих свойств происходит за счет
двух факторов: протекания обратного тока через тиристор, при котором
отводится основная часть носителей заряда, накопленных в базах прибора, и
рекомбинации оставшихся носителей заряда. Величины tвк и tк определяют
частотные свойства тиристора и зависит от его типа. Время tвк составляет от 1-5
до 30 мкс, а время tв от 5-12 до 250 мкс.
                                              А


                                          p

                                      n

                                      p
                                              n

                                 уз               к

       Рисунок 7.1 – Полупроводниковая структура тиристора.




                                                                             33