Полупроводниковые приборы. Бурькова Е.В. - 31 стр.

UptoLike

Составители: 

Рубрика: 

31
NSS — плотность медленных поверхностных состояний на границе
кремнийподзатворный оксид, 1/см
2
;
ТОХтолщина оксида, м;
ТРG — легирование затвора; +1 — примесью того же типа, как и для
подложки, -1 примесью противоположного типа, 0 — металлом;
UO — подвижность носителей тока в инверсном слое канала, см/В/с;
FC — коэффициент нелинейности барьерной емкости прямо
смещенного перехода подложки.
Для исследования характеристик. МДП-транзисторов используется
схема на рисунке 6.11. С ее помощью можно получить семейство выходных
характеристик МДП-транзисторов при фиксированных значениях напряжения
на затворе Ug и подложке Ub. Располагая такими характеристиками, можно
определить крутизну транзистора S при управлении со стороны затвора, а
также крутизну при управлении со стороны подложки Sb=dId/dUb; статический
коэффициент усиления M=dUd/dUg; выходное дифференциальное
сопротивление Rd=dUd/dId и другие параметры.
Рисунок 6.11 - Схема для исследования характеристик МДП-
транзисторов
6.3 Задание
6.3.1 Построить схему включения полевого транзистора в соответствии с
рисунком 6.5. Задать параметры элементов схемы.
6.3.2 Снять стоковые характеристики полевого транзистора с
p - n переходом и каналом n – типа: Ic=f(Uси), Uзи = const. Первоначально
установить Uзи = 0 и записывать изменение параметров Iс и Uси в таблицу 6.1.
Затем задать два других значения Uзи и заполнить таблицу полностью.
Таблица 6.1 – Экспериментальные данные
Uзи = 0 В Uзи = -0.5 В Uзи = -1.0 В
Ic, mA Uси, В Ic, mA Uси, В Ic, mA Uси, В
6.3.3 В соответствии с таблицей 6.1 построить стоковые (выходные)
характеристики полевого транзистора.
6.3.4 Стоко-затворные характеристика: Ic = f(Uзи), Uси = const
Установить Uси = 10 В, при этом значении снять показания приборов
для Uзи и Iс, заполнить таблицу 6.2 и построить график характеристики.
       NSS — плотность медленных поверхностных состояний на границе
кремний — подзатворный оксид, 1/см2;
       ТОХ — толщина оксида, м;
       ТРG — легирование затвора; +1 — примесью того же типа, как и для
подложки, -1 примесью противоположного типа, 0 — металлом;
       UO — подвижность носителей тока в инверсном слое канала, см/В/с;
       FC — коэффициент     нелинейности    барьерной    емкости    прямо
смещенного перехода подложки.
       Для исследования характеристик. МДП-транзисторов используется
схема на рисунке 6.11. С ее помощью можно получить семейство выходных
характеристик МДП-транзисторов при фиксированных значениях напряжения
на затворе Ug и подложке Ub. Располагая такими характеристиками, можно
определить крутизну транзистора S при управлении со стороны затвора, а
также крутизну при управлении со стороны подложки Sb=dId/dUb; статический
коэффициент     усиления    M=dUd/dUg;     выходное     дифференциальное
сопротивление Rd=dUd/dId и другие параметры.




      Рисунок 6.11 - Схема    для    исследования    характеристик     МДП-
транзисторов


     6.3 Задание
        6.3.1 Построить схему включения полевого транзистора в соответствии с
рисунком 6.5. Задать параметры элементов схемы.
        6.3.2 Снять стоковые характеристики полевого транзистора с
p - n переходом и каналом n – типа: Ic=f(Uси), Uзи = const. Первоначально
установить Uзи = 0 и записывать изменение параметров Iс и Uси в таблицу 6.1.
Затем задать два других значения Uзи и заполнить таблицу полностью.

      Таблица 6.1 – Экспериментальные данные
       Uзи = 0 В                 Uзи = -0.5 В              Uзи = -1.0 В
Ic, mA       Uси, В       Ic, mA       Uси, В       Ic, mA       Uси, В


       6.3.3 В соответствии с таблицей 6.1 построить стоковые (выходные)
характеристики полевого транзистора.
       6.3.4 Стоко-затворные характеристика: Ic = f(Uзи), Uси = const
       Установить Uси = 10 В, при этом значении снять показания приборов
для Uзи и Iс, заполнить таблицу 6.2 и построить график характеристики.

                                                                           31