Полупроводниковые приборы. Бурькова Е.В. - 23 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

23
I
Б
= ƒ(U
БЭ
) при U
КЭ
= const
5.3.7 Выходные характеристики транзистора
I
К
= ƒ(U
КЭ
) при I
Б
= const
Значения I
Б
устанавливают потенциометром R
1
и поддерживают
неизменными. Напряжение U
КЭ
изменяют с помощью потенциометра R
2
от 0 до
10-15 В. результаты измерений занести в таблицу 5.5.
Таблица 5.5 – Выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ
I
Б
= , mA I’
Б
= , mA I”
Б
= , mA
U
КЭ
, В I
К
, mA
U
КЭ
, В I
К
, mA
U
КЭ
, В I
К
, mA
5.3.8 По таблице 5.4 построить статические характеристики транзистора
в схеме с ОЭ. По выходным характеристикам определить значение
коэффициента усиления по току
Б
к
I
I
∆
∆
=
β
5.4 Контрольные вопросы
5.4.1 Как называются слои полупроводниковой структуры транзистора и
почему?
5.4.2 Что такое эффект модуляции базы?
5.4.3 Что такое коэффициент передачи тока?
5.4.4 Чем обусловлено усиление по току в схеме включения транзистора
с ОЭ?
5.4.5 Что такое область отсечки транзистора?
5.4.6 Назовите основные параметры биполярных транзисторов.
6. Лабораторная работа №3. Исследование полевых
транзисторов
6.1 Цель работы
Изучение особенностей работы полевых транзисторов, построение
статических характеристик транзисторов
6.2 Общие сведения
Первоначальное название полевых транзисторов — униполярные
транзисторы — было связано с тем, что в таких транзисторах используются
основные носители только одного типа (электронов или дырок). Процессы
инжекции и диффузии в таких транзисторах практически отсутствуют, во
всяком случае, они не играют принципиальной роли. Основным способом
движения носителей является дрейф в электрическом поле.
Для того чтобы управлять током в полупроводнике при постоянном
электрическом поле, нужно изменять удельную проводимость
полупроводникового слоя или его площадь. На практике используются оба 
    IБ = ƒ(UБЭ) при UКЭ = const

       5.3.7 Выходные характеристики транзистора
       IК = ƒ(UКЭ) при IБ = const
       Значения IБ устанавливают потенциометром R1 и поддерживают
неизменными. Напряжение UКЭ изменяют с помощью потенциометра R2 от 0 до
10-15 В. результаты измерений занести в таблицу 5.5.

     Таблица 5.5 – Выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ
       IБ = , mA                 I’Б = , mA                 I”Б = , mA
UКЭ , В      IК , mA      UКЭ , В      IК , mA      UКЭ , В       IК , mA


     5.3.8 По таблице 5.4 построить статические характеристики транзистора
в схеме с ОЭ. По выходным характеристикам определить значение
                                    ∆I к
коэффициента усиления по току β =
                                    ∆I Б


     5.4 Контрольные вопросы
      5.4.1 Как называются слои полупроводниковой структуры транзистора и
почему?
      5.4.2 Что такое эффект модуляции базы?
      5.4.3 Что такое коэффициент передачи тока?
      5.4.4 Чем обусловлено усиление по току в схеме включения транзистора
с ОЭ?
      5.4.5 Что такое область отсечки транзистора?
      5.4.6 Назовите основные параметры биполярных транзисторов.

6.  Лабораторная работа №3. Исследование полевых
транзисторов
     6.1 Цель работы
       Изучение особенностей работы полевых транзисторов, построение
статических характеристик транзисторов

     6.2 Общие сведения
      Первоначальное название полевых транзисторов — униполярные
транзисторы — было связано с тем, что в таких транзисторах используются
основные носители только одного типа (электронов или дырок). Процессы
инжекции и диффузии в таких транзисторах практически отсутствуют, во
всяком случае, они не играют принципиальной роли. Основным способом
движения носителей является дрейф в электрическом поле.
      Для того чтобы управлять током в полупроводнике при постоянном
электрическом    поле,    нужно     изменять    удельную   проводимость
полупроводникового слоя или его площадь. На практике используются оба
                                                                            23

Страницы