Полупроводниковые приборы. Бурькова Е.В. - 20 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

20
16) Ток начала спада усиления по току, близкое к параметру 1вп,вх> А
- IKF;
17) Коэффициент неидеальности эмиттерного перехода – NE;
18) Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор, В -
VJC;
19) Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер, В - VJE.
Набор задаваемых параметров для биполярных транзисторов в EWB 5.0
- заметно больше, чем в EWB 4.1 — они собраны в пяти окнах-закладках.
Дополнительные параметры находятся в последних трех закладках. Эти
параметры имеют следующее назначение:
NF — коэффициент неидеальности в нормальном режиме;
NR — коэффициент неидеальности в инверсном режиме;
IKR — ток начала спада коэффициента усиления тока в инверсном
режиме. А;
NC — коэффициент неидеальности коллекторного перехода;
RBM — минимальное сопротивление базы при больших токах, Ом;
IRB — ток базы, при котором сопротивление базы уменьшается на 50%
от разницы RВ-RВМ, А;
XTF — коэффициент, определяющий зависимость времени ТF переноса
зарядов через базу от напряжения коллектор-база;
VTF — напряжение коллектор-база, при котором начинает сказываться
его влияние на TF, В;
PTF — дополнительный фазовый сдвиг на граничной частоте
транзистора град.;
VJS — контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка,
В;
MJS — коэффициент плавности перехода коллектор-подложка;
XCJC — коэффициент расщепления емкости база-коллектор;
FC — коэффициент нелинейности барьерной емкости прямо смещенных
переходов;
EG — ширина запрещенной зоны, эВ;
XTB — температурный коэффициент усиления тока в нормальном и
инверсном режимах;
ХТI — температурный коэффициент тока насыщения;
KF — коэффициент фликкер-шума;
AF — показатель степени в формуле для фликкер-шума;
ТNОМ — температура транзистора.
Рассмотрим способы измерения основных характеристик биполярных
транзисторов.
Рисунок 5.5 - Схема для исследования ВАХ биполярного транзистора 
         16) Ток начала спада усиления по току, близкое к параметру 1вп,вх> А
- IKF;
         17) Коэффициент неидеальности эмиттерного перехода – NE;
         18) Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор, В -
VJC;
       19) Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер, В - VJE.
       Набор задаваемых параметров для биполярных транзисторов в EWB 5.0
- заметно больше, чем в EWB 4.1 — они собраны в пяти окнах-закладках.
Дополнительные параметры находятся в последних трех закладках. Эти
параметры имеют следующее назначение:
       NF — коэффициент неидеальности в нормальном режиме;
       NR — коэффициент неидеальности в инверсном режиме;
       IKR — ток начала спада коэффициента усиления тока в инверсном
режиме. А;
       NC — коэффициент неидеальности коллекторного перехода;
       RBM — минимальное сопротивление базы при больших токах, Ом;
       IRB — ток базы, при котором сопротивление базы уменьшается на 50%
от разницы RВ-RВМ, А;
       XTF — коэффициент, определяющий зависимость времени ТF переноса
зарядов через базу от напряжения коллектор-база;
       VTF — напряжение коллектор-база, при котором начинает сказываться
его влияние на TF, В;
       PTF — дополнительный фазовый сдвиг на граничной частоте
транзистора град.;
       VJS — контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка,
В;
       MJS — коэффициент плавности перехода коллектор-подложка;
       XCJC — коэффициент расщепления емкости база-коллектор;
       FC — коэффициент нелинейности барьерной емкости прямо смещенных
переходов;
       EG — ширина запрещенной зоны, эВ;
       XTB — температурный коэффициент усиления тока в нормальном и
инверсном режимах;
       ХТI — температурный коэффициент тока насыщения;
       KF — коэффициент фликкер-шума;
       AF — показатель степени в формуле для фликкер-шума;
       ТNОМ — температура транзистора.
       Рассмотрим способы измерения основных характеристик биполярных
транзисторов.




         Рисунок 5.5 - Схема для исследования ВАХ биполярного транзистора
20

Страницы