Полупроводниковые приборы. Бурькова Е.В. - 18 стр.

       Различают три схемы включения биполярных транзисторов: с общей
базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и с общим коллектором (ОК), показанные
на рисунке 5.2.




      Рисунок 5.2 - Основные схемы включения транзисторов
       На практике чаще всего используются два семейства ВАХ
транзисторов - входные и выходные. Входные характеристики определяют
зависимость входного тока (базы или эмиттера в зависимости от способа
включения транзистора) от напряжения между базой и эмиттером при
фиксированных       значениях  напряжения    на  коллекторе.   Выходные
характеристики определяют зависимость тока коллектора от напряжения
коллектор-эмиттер при фиксированных значениях тока базы или эмиттера (в
зависимости от способа включения транзистора).
       Входные характеристики имеют вид, аналогичный характеристикам
диодов: ток экспоненциально возрастает с увеличением напряжения база-
эмиттер. При повышении и понижении температуры входные характеристики
смещаются в сторону меньших и больших входных напряжений
соответственно. Напряжение между базой и эмиттером для кремниевых
транзисторов уменьшается примерно на 2 мВ при увеличении температуры на
каждый градус Цельсия.
       Особенностью выходных характеристик транзистора, включенного по
схеме с ОБ, является слабая зависимость тока коллектора от напряжения
коллектор-база Uкб. При больших напряжениях Uкб происходит пробой
коллекторного перехода. При увеличении температуры выходные
характеристики смещаются в сторону больших токов из-за увеличения
обратного тока Iко.
       У транзистора, включенного по схеме с ОЭ, ток коллектора более
сильно зависит от напряжения коллектор-эмиттер. Резкое возрастание тока
коллектора начинается при меньшем коллекторном напряжении, чем для
включения транзистора по схеме с ОБ. При повышении температуры выходные
характеристики значительно смещаются в сторону больших токов, их наклон
сильно увеличивается.
       ВАХ транзисторов и диодов снимаются на постоянном токе (по точкам)
или с помощью специальных приборов — характериографов, позволяющих
избежать сильного нагрева приборов.
       Входные и выходные характеристики транзисторов используются для
расчета цепей смещения и стабилизации режима, расчета конечных состояний
ключевых схем (режима отсечки, насыщения).


18