Электроника. Цифровые элементы и устройства. Чье Ен Ун - 16 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТОГУ | Хабаровск

Составители: 

Рубрика: 

15
В результате этого транзистор VT3 запирается, а VT4 открывается и
на выходе формируется низкий уровень выходного напряжения
0
ВЫХ
U < 0,4
В. Данному состоянию ЛЭ соответствует участок
c-d на передаточной
характеристике (рис. 1.4,
в). Таким образом, данная схема выполняет
функцию инвертора.
Диод VD1 служит для надежного запирания транзистора VT3 путем
увеличения порогового отпирающего напряжения на величину падения
напряжения на этом диоде. При отпирании транзистора VТ2 напряжение
на базе транзистора VT3
U
б3
=U
кэ.нас2
+U
бэ4
≈
0,2+0,8=1B
и если диод VD1 отсутствует, то
U
бэ3
= U
б3
– U
кэ.нас4
≈
1 - 0,2=0,8B,
чего вполне достаточно, чтобы транзистор VT3 открылся. При
включенном диоде VD1
U
бэ3
=U
б3
–U
VD1
– U
кэ.нас4
≈
0B
и транзистор VT3 надежно запирается.
Резистор R4 служит для ограничения тока выходных транзисторов в
переходных режимах, когда оба транзистора работают в активной области
( участок
b-c на рис.1.4,в).
Рассмотренный инвертор служит основой для построения других
ЛЭ. Для реализации логической функции И-НЕ входной транзистор
заменяется на многоэмиттерный транзистор, как показано на рис.1.4,
г.
Многоэмиттерный транзистор можно представить в виде отдельных
транзисторов с объединенными выводами баз и коллекторов, как показано
на рис.1.4,
д. Для того чтобы на выходе ЛЭ был низкий уровень (Y=0)
транзистор VT2 должен быть открыт, а это возможно только в том случае,
если на все входы подан высокий уровень, т.е.
Х
1
=Х
2
=Х
3
= 1. Во всех
остальных случаях один из эмиттерных переходов транзистора VT1
открывается, что приводит к снижению напряжения на базе этого
транзистора с 2,2 В до 0,9 В. А этого напряжения не достаточно для
отпирания трех последовательно включенных переходов: коллекторного
VT1 и двух эмиттерных VT2, VT4. Следовательно, на выходе ЛЭ имеем
высокий уровень, т.е. Y = 1. Зависимость выходного уровня
сигнала от
состояний его входов для рассмотренной схемы соответствует ЛЭ типа
3И-НЕ. Количество входов в ЛЭ типа И-НЕ может варьироваться от 2 до 8.
На рис.1.4,
е приведена схема ЛЭ типа 2ИЛИ-НЕ. Основу такого ЛЭ
составляет схема инвертора (рис.1.4,
а), в которую дополнительно введены
еще один входной узел на транзисторе VT3 и транзистор VT4. Эту схему
может представить в виде двух инверторов, работающих на один
выходной инвертор. В данной схеме выходной инвертор управляется либо
по первому входу
Х
1
, либо по второму Х
2
. Выходной сигнал в этой схеме
принимает высокий уровень только в том случае, если на оба входа поданы
низкие уровни. Во всех остальных случаях на выходе будет низкий

Страницы