Электроника. Цифровые элементы и устройства. Чье Ен Ун - 17 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТОГУ | Хабаровск

Составители: 

Рубрика: 

16
уровень. При замене обычных транзисторов VT1 и VT3 на
многоэмиттерные можно реализовать логическую функцию типа И-ИЛИ-НЕ.
Для повышения помехоустойчивости и защиты от отрицательных
напряжений на входах всех ТТЛ – ЛЭ устанавливают так называемые
антизвонные диоды (показано пунктиром на рис.1.4,
а). В нормальном
режиме работы эти диоды смещены в обратном направлении и не
оказывают влияния на работу ЛЭ. При действии отрицательных перепадов
напряжения, что возможно при возникновении переходных процессов
колебательного характера за счет влияния паразитных индуктивностей и
емкостей в схеме, диоды открываются и защищают входы ЛЭ, а также
демпфируют переходные процессы.
Выше были рассмотрены ЛЭ со стандартным выходом в виде
сложного двухтранзисторного инвертора, обеспечивающего для типовой
серии ТТЛ ЦИС
K
раз
= 20. Кроме ЛЭ со стандартным выходом в составе
серий имеются также ЛЭ и ЦИС со специальными выходами. Это
элементы с открытым коллектором (ОК) и с тремя выходными
состояниями.
Рис. 1. 5. ЛЭ и ЦИС со специальными выходами
+Е
п
X
1
X
2
а
б
+Е
п
&
R
н
При EZ=0
в
1
EZ
A
B
При EZ=1
EZ
EZ
1
EZ
EZ
EZ
При EZ=1
При EZ=0
г

Страницы