Электроника. Цифровые элементы и устройства. Чье Ен Ун - 72 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТОГУ | Хабаровск

Составители: 

Рубрика: 

71
В РПЗУ с электрическим программированием запись и стирание
производится электрическим способом, и в них возможно избирательное
стирание информации, т.е. в заданной ячейки памяти. Такие РПЗУ
изготавливаются по технологии, близкой к ЛИЗМОП. Под плавающим
затвором МОП-транзистора размещается еще один – управляющий затвор,
при подаче напряжения на который за счет туннельного
эффекта
происходит рассасывание зарядов, т.е. стирание информации.
Наращивание информационной емкости постоянной памяти
производится по схемам, аналогичным для оперативной памяти (рис. 6. 4).
Контрольные вопросы и задания
1. Классификация полупроводниковых ЗУ.
2. Основные параметры и характеристики ЗУ.
3. Изобразите общую структуру статического ОЗУ.
4. Изобразите диаграмму работы статического ОЗУ в различных режимах
.
5. Нарисуйте схему статического ОЗУ с организацией 8К×8 на базе ЦИС
К537РУ10.
6. Нарисуйте схему статического ОЗУ с организацией 2К×16 на базе ЦИС
К537РУ10.
7. Нарисуйте схему статического ОЗУ с организацией 4К×16 на базе ЦИС
К537РУ10.
8. В чем состоит отличие динамических ОЗУ от статических.
9. Основные
типы ПЗУ и области их применения.
Выводы
Полупроводниковые ОЗУ делятся на два основных типа:
оперативные и постоянные. Их основные параметры и
характеристики существенно зависят от технологии
изготовления.
ОЗУ бывают двух типов: статические и динамические.
Последние обладают наилучшим показателем отношения
информационная емкость/стоимость и применяются для
построения ЗУ большой емкости
.
ПЗУ бывают двух типов: с однократным и многократным
программированием.

Страницы