ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
70
В ППЗУ матрица памяти представляет собой матрицу, образованную
горизонтальными и вертикальными проводниками, подключенными к
выходам дешифраторов строк и столбцов. Программирование ячеек
памяти, находящихся на пересечении горизонтальных и вертикальных
проводников, производится их соединением или разъединением. В
современных ЦИС ПЗУ исходно во всех ячейках памяти имеются
соединения, задаваемые плавкими нихромовыми или поликремниевыми
перемычками. Возможные варианты построения ячеек памяти показаны
на рис. 6. 6,а-б.
Рис. 6. 6. Варианты построения ячеек ППЗУ
При программировании ПЗУ производится пережигание ненужных
перемычек серией импульсов тока. Для этого в состав ППЗУ вводится
дополнительный узел электрического программирования.
Программирование ППЗУ производится на специальных стендах -
программаторах по специальной программе.
После программирования
производится термотренировка ППЗУ при повышенной температуре
(около 100
o
С) с целью предотвращения самовосстановления перемычек.
ЦИС ППЗУ имеют пословную организацию с m = 4 или 8 при
различной информационной емкости и выход с ОК или с тремя
состояниями. Так, например, ЦИС ППЗУ 556РТ18, изготовленная по
ТТЛШ-технологии, имеет емкость 2К × 8, выход с тремя состояниями и
время считывания 60 нс.
Репрограммируемые ПЗУ с ультрафиолетовым
стиранием
информации производятся по технологии МНОП – металл – нитрид
кремния – окисел - полупроводник или ЛИЗМОП- лавинно-инжекционные
МОП-транзисторы с плавающим затвором. В таких РПЗУ используются
явления хранения заряда между двумя различными диэлектрическими
средами или проводящей средой и диэлектрической с использованием
МОП - структур. Эти заряды, а следовательно, и записанная информация
могут храниться
несколько лет. Для стирания информации производится
ультрафиолетовое облучение кристалла через специальное прозрачное
окно на корпусе ИС. Под действием облучения происходит рассасывание
зарядов.
a
б
U
п
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 69
- 70
- 71
- 72
- 73
- …
- следующая ›
- последняя »
