Электроника. Цифровые элементы и устройства. Чье Ен Ун - 69 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТОГУ | Хабаровск

Составители: 

Рубрика: 

68
выходные сигналы которых используются для обращения к той или иной
ИС ОЗУ.
Рис. 6. 4. Способы наращивания информационной емкости ОЗУ
При необходимости одновременного наращивания разрядности
данных и емкости применяется комбинация двух рассмотренных схем.
Существенное увеличение информационной емкости при
одновременном снижении энергопотребления достигается в ОЗУ
динамического типа, в которых данные хранятся в виде заряда на емкости
МОП-транзисторов. Из-за разряда конденсатора емкостью порядка 0,1 пФ
при токе утечки порядка 10
-10
А время хранения не превышает 1-2 мс.
Поэтому для предотвращения разрушения данных производится
периодический подзаряд емкости или так называемая регенерация
данных. Регенерация производится двумя способами. При внешней
регенерации производится периодический перебор всех ячеек памяти, при
которой производится считывание и повторная запись данных. В ОЗУ с
внутренней регенерацией подзаряд емкостей производится встроенными
средствами
в промежутках между выборками. Такие ОЗУ называются
квазистатическими. Так как ОЗУ динамического типа предназначены для
построения памяти с большой информационной емкостью, то в силу
имеющихся ограничений по числу внешних выводов ИС ввод адреса
производится в два приема: сначала вводится адрес строки, а затем адрес
столбца. Для стробирования ввода адресов в
отличие от ОЗУ статического
типа вместо одного сигнала CS используется два управляющих сигнала
RAS (Row Address Select) и CAS (Column Address Select).
RAM
DO
WR
DI
A
CS
RAM
DO
WR
DI
A
CS
DI
0
A
0
…A
n-1
DI
n
n
.
.
.
DO
0
DO
m-1
.
.
.
CS
WR/RD
a
RAM
DB
WR
A
CS
б
RAM
DB
WR
A
CS
.
.
.
…
.
.
n
n
A
0
…A
n-1
WR/RD
DC
0
2
k
-1
A
n
A
n
+
1
A
k
-
1
.
.
.
m
m
D
0
…D
m
-1

Страницы