Электронная и микропроцессорная техника. Чернышев А.Ю - 18 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

18
+
E
X
1
X
2
Y
=
X
1
X
2
V T
1
R
1
R
2
R
3
R
4
V T
2
VT
4
V T
3
V
D
е
0
Б
4
U
К
Э
2
e
D
U
К
Э
4
Рис. 1.11
1.6.1. Универсальный логический ттл – элемент И-НЕ в
интегральном исполнении
Принципиальная схема ТТЛ элемента, являющегося основой ряда
полупроводниковых интегральных микросхем для цифровых устройств,
приведена на рис. 1.11 (2И-НЕ). Данный элемент по своему условному
обозначению соответствует рис. 1.6, а.
Представленная на рис. 1.11 схема состоит из схемы И, образован-
ной многоэмиттерным транзистором
VT1 и резистором
1
R и так называ-
емого сложного инвертора, выполняющего операцию НЕ. Рассмотрим
работу названных каска-
дов элемента 2И — НЕ.
Многоэмиттерный
транзистор
VT1 был со-
здан для микроминиа-
тюрных логических
устройств. Данный тран-
зистор, подобно обычно-
му биполярному, имеет
базу и один коллектор.
Число эмиттеров в отли-
чие от биполярного тран-
зистора может достигать
четырех - восьми. Тол-
щина базового кристалла
между коллектором и
каждым из эмиттеров невелика, что обусловливает возможность диффу-
зии в
базе на каждом из участков между коллектором и эмиттером.
Напротив, взаимодействие между эмиттерами через участки базы прак-
тически отсутствует.
В схеме (рис. 1.11) коллекторный переход многоэмиттерного тран-
зистора
VT1 (каскад 2И — НЕ) всегда смещен в прямом направлении.
Пусть на входах
1
X
и
2
X
схемы (рис. 1.11) действуют сигналы, уровень
которых соответствует логической «1». Можно считать, что при
E=5
5,5В уровень логической «1» на входах соответствует напряжению не
менее 2,3
2,5В. При данном уровне входных сигналов
)(iiiiiiii
II 211Б1БI21БI11Б2Э1Э1Б1К
1
,

Страницы