ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
19
Рис. 1.12
U
1
П
О
Р
U
0
П
О
Р
U
0
В
Ы
Х
.
m
a
x
U
1
В
Ы
Х
.
m
i
n
U
В
Ы
Х
В
U
ВХ
В
так как коэффициент передачи по току 1
jI
, следовательно,
1Б1К
ii .
Значительный прямой ток коллекторного перехода
1К
i включает тран-
зистор
VT2, который оказывается в насыщенном состоянии. Насыщение
VT2 приводит к тому, что транзистор VT4 оказывается включенным
значительным базовым током. Напряжение на выходе инвертора (каскад
НЕ) равно напряжению
0
4КЭ
U . Выходной сигнал соответствует
уровню логического «0» при 1XX
21
. Транзистор VT3 при этом за-
перт. Если бы между коллектором
VT4 и эмиттером VT3 не был вклю-
чен диод
VD, а указанные электроды транзисторов были включены
непосредственно, то
4КЭ3Э
UU . В этом случае напряжение
3БЭ
U ока-
залось бы положительным:
4ОБ4КЭ2КЭ4ОБ3Э3Б3БЭ
eUUeUUU
.
Это напряжение близко к напряжению отсечки входной характери-
стики транзистора
VT3, поэтому надежное запирание этого транзистора
не обеспечивается. Диод
VD обеспечивает дополнительное смещение
напряжения на эмиттере
VT3 в положительную область на величину
D
e ,
тогда
;eUU
D
4КЭ3Э
0
4ОБ3Э3Б3БЭ
D
eeUUU .
При этих условиях транзистор
VT3 выключен и практически ис-
ключено потребление тока выходной цепью в состоянии покоя.
Если хотя бы на одном эмиттере транзистора 1
V
T
будет уровень
напряжения, соответствующий
уровню логического «0», то
транзистор 1
V
T
насыщается, от-
пирающий ток в цепь базы 2
V
T
не поступает, запирая его. При
запертом 2
V
T
транзистор 4V
T
также заперт. Запертый транзи-
стор 4
V
T
эквивалентен высоко-
омному резистору в цепи эмит-
тера 3
V
T
. Транзистор 3V
T
в
данном состоянии схемы открыт
и работает в режиме эмиттерного
повторителя, создавая на выходе
высокий уровень напряжения,
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- …
- следующая ›
- последняя »
