Конструирование и технология полупроводниковых интегральных микросхем на униполярных транзисторах. Чернышова Т.И - 21 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Рис. 20 Чертеж топологии МДП- транзистора с П-образным каналом
Отдельно следует остановиться на чертежах топологии МДП-транзисторов для сложных схем ин-
верторов, где требуется обеспечивать последовательное или параллельное соединение ключевых тран-
зисторов. Для повышения степени интеграции допускается объединение областей стоков и истоков, как
это сделано на рис. 21, 22.
Рис. 21 Чертеж топологии
(а) и
электрическая схема (б)
последовательного включе-
ния
МДП-транзисторов
Рис. 22 Чертеж топологии
(а) и
электрическая схема (б)
параллельного включения
МДП-транзисторов
7.2 КОНСТРУИРОВАНИЕ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ,
РАБОТАЮЩИХ В ПАССИВНОМ РЕЖИМЕ
К ним относятся нагрузочные транзисторы инверторов с пассивной нагрузкой типа изображенных
на рис. 9, 11. У таких транзисторов значение удельной крутизны S
01
может быть малым, и для уменьше-
ния площади, занимаемой элементом, целесообразно выбирать минимальную ширину канала, обуслов-
ленную технологическими ограничениями согласно табл. 1:
− для прямоугольной формы стока (истока)
cab
K
+
=
2
техн
; (50)
− для ступенчатой формы стока (истока)
gb
K
=
техн
. (50а)
Длину канала подгоняют в целях получения отношения b
kтехн
/ l
K
, соответствующему требуемому
значению удельной крутизны S
01
, рассчитанному по выражениям (39), (40). Остальные конструктивные
параметры выбирают в соответствии с технологическими ограничениями из табл. 1. Чертеж топологии
и электрическая принципиальная схема нагрузочного транзистора с областями стока (истока) ступенча-
той формы приведены на рис. 23.
7.3 КОНСТРУИРОВАНИЕ ОХРАННЫХ ДИОДОВ
Охранные диоды используются во входных цепях цифровых комплементарных и обычных МДП-
ИМС и предназначены для предотвращения пробоя пленки затворного диэлектрика под действием ста-
тического электричества. В качестве примера рассмотрим диодную защитную схему входной цепи ин-
вертора КМДП-ИМС. Входная цепь, электрическая схема которой приведена на рис. 24, состоит из под-
ключенных к входной шине охранных диодов Д
1
и Д
2
. Как известно, статический заряд, накапливаемый
на выводах корпуса ИМС или инструменте монтажника, может иметь положительный и отрицательный
знаки. Положительный заряд «стекает» через диод Д
1
, а отрицательный – через Д
2
. такая схема приво-

Страницы