Конструирование и технология полупроводниковых интегральных микросхем на униполярных транзисторах. Чернышова Т.И - 22 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

дит к уменьшению входного сопротивления и появлению входного тока утечки в пределах 0,5…1 мкА.
Однако динамические параметры схемы при правильном проектировании охранных диодов практиче-
ски не ухудшаются.
Рис. 23 Конструкция (а) и
электрическая схема (б) нагру-
зочного p-канального транзи-
стора
Рис. 24 Диодная защитная
схема
Описанная защитная схема не допускает подачу на вход напряжения выше напряжения питания,
что может привести к протеканию через входную цепь больших токов и разрушению диодов. Поэтому
при включении аппаратуры КМДП-ИМС с защищенными входными цепями напряжение питания сле-
дует подавать раньше входного сигнала, а при выключении аппаратуры – снимать позже. Находят при-
менение и однодиодные защитные схемы, в которых используется только охранный диод Д
2
.
Основными требованиями при конструировании охранных диодов являются обеспечение достаточ-
ного напряжения пробоя (≥2U
и.п
), так как в рабочем состоянии схемы на диоды подается обратное на-
пряжение, равное напряжению питания, и получение малых паразитных емкостей. Первое требование
обеспечивается тем, что одной областью этих диодов служит низколегированная подложка ИМС, а дру-
гой – специально формируемые низколегированные участки. Для получения малых паразитных емко-
стей контактное окно к области диода необходимо разрабатывать с учетом технологических ограниче-
ний, указанных в табл. 1.
Чертеж топологии охранных диодов Д
1
и Д
2
приведен на рис. 25. Особенностью топологии является
то, что электрический контакт к n-области диода Д
1
и p-области диода Д
2
осуществляется через под-
ложку.
7.4 ПАРАЗИТНЫЕ МДП-СТРУКТУРЫ И КОНСТРУИРОВАНИЕ
ОХРАННЫХ КОЛЕЦ
В МДП-ИМС активные паразитные эффекты возникают за счет образования паразитных МДП- и
биполярных транзисторов. На рис. 26 для примера показана возможность образования паразитного p-
канала, между диффузионными проводниками питания p+-типа, если поперечный проводник металли-
зации находится под высоким отрицательным потенциалом.
Рис. 25 Чертеж топологии
охранных диодов
Рис. 26 Чертеж топологии
(а) и
электрическая схема (б)

Страницы