ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
в) отношение ширины канала нагрузочного транзистора к его длине b
K1техн
/ l
K1
по формуле (7) при
заданных значениях подвижности носителей заряда в канале µ
p
и µ
n
;
г) технологическую длину канала l
K2техн
ключевого МДП-транзистора по табл. 1 и формуле (49);
д) отношение значений удельной крутизны ключевого и нагрузочного транзисторов m по формуле
(28) при заданных U
и.п.
и
1
вых
1
вх
UU = ;
е) отношение ширины канала ключевого транзистора к его длине b
K2
/ l
K2техн
по величине m;
ж) остальные конструктивные параметры нагрузочного и ключевого транзисторов определяются из
табл. 1 с учетом рекомендаций § 7.
7) Рассчитывают конструктивные параметры промежуточного инвертора: после определения емко-
сти нагрузки С
н
промежуточного инвертора по выражению (47) ведут расчеты параметров по пунктам
а), б), в), далее находят отношение значений удельной крутизны ключевого и нагрузочного транзисто-
ров m: для p-канальных – по формуле (28) и для n-канальных – по формуле (32) при заданных значениях
U
и.п.1
, U
и.п.2
,
1
вых
1
вх
UU = и затем конструктивные параметры согласно пунктам е) и ж).
8) Рассчитывают конструктивные параметры входного инвертора (порядок расчета полностью сов-
падает с расчетом промежуточного инвертора).
8.2 ПОРЯДОК РАСЧЕТА ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ
КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ МДП-ИМС С КРЕМНИЕВЫМИ ЗАТВОРАМИ
Данные ИМС используют инверторы, изображенные на рис. 14, 18.
1 Изучают принцип работы инвертора с активной нагрузкой и связи его электрических и конструк-
тивных параметров по § 6.
2 Рассчитывают требуемое пороговое напряжение МДП-транзисторов U
0
для обеспечения задан-
ной статической помехоустойчивости по формуле (37) при условии
0
вых
0
вх
UU =
и
1
вых
1
вх
UU =
.
3 Определяют удельную емкость затвора относительно канала С
з0
для p- и n-канальных транзисто-
ров по формулам (10), (11) при условии φ
мп
= 0.
4 Находят толщину подзатворного диэлектрика h
д
по формуле (4) и выбирают большее значение.
5 Проверяют выполнение условия (33) для выбранного значения толщины подзатворного диэлек-
трика h
д
.
6 Рассчитывают технологическую длину канала нагрузочного транзистора l
K1техн
и ключевого
транзистора l
K2техн
по табл. 1 и выражению (49).
7 Рассчитывают удельную крутизну S
01
нагрузочного транзистора по формулам (41), (42) при за-
данных значения С
н
и t
выкл
= 2t
зад
в зависимости от схемы инвертора.
8 Рассчитывают удельную крутизну S
02
ключевого транзистора по формулам (42) или (41) при за-
данных значения С
н
и t
выкл
= 2t
зад
в зависимости от схемы инвертора.
9 Находят отношение ширины канала нагрузочного и ключевого транзисторов к его длине b
K1
/
l
K1техн
и b
K2
/ l
K2техн
по формуле (7) при заданных значениях подвижности носителей заряда µ
p
и µ
n
.
10 Определяют другие конструктивные параметры ключевых и нагрузочных транзисторов, охран-
ных колец, диодов по табл. 1 с учетом рекомендаций § 7.
8.3 РАСЧЕТ ПАРАЗИТНЫХ СВЯЗЕЙ И ПАРАМЕТРОВ МДП-ИМС
Расчет паразитных связей и параметров включает проверку наличия паразитных каналов, определе-
ние статического коэффициента разветвления
раз
K
и времени задержки сигнала t
зад
с целью контроля
выполнения условий:
пар.доп0пар0
UU ≥
, (51)
раз.допраз
KK ≥
, (52)
зад.допзад
tt ≤ . (53)
Правые части неравенств (51) – (53) задаются в техническом задании, а левые части при проверке
необходимо определить расчетным путем.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- …
- следующая ›
- последняя »
