Конструирование и технология полупроводниковых интегральных микросхем на униполярных транзисторах. Чернышова Т.И - 26 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Проверка анализа паразитных каналов включает:
1) анализ эскиза топологии кристалла для выявления областей возможного образования паразитных
каналов;
2) разработку мер повышения пороговых напряжений паразитных структур для исключения их
влияния. К таким мерам относят выбор толщины толстого диэлектрика h
т.д
, которая обеспечивала бы
требуемое пороговое напряжение паразитных МДП-структур U
0пар
. Значение h
т.д
определяют из выра-
жений (10) и (11) соответственно для паразитных p- и n-каналов.
Для определения статического коэффициента разветвления требуется:
1) рассчитать удельную емкость проводника металлизации над толстым диэлектриком С
т.д0
по
формуле (4), а также удельную емкость перехода сток (исток) – подложка C
j0
по выражению (20);
2) для проверки неравенства (52) определить статический коэффициент разветвления по формуле
хj
СССK
вмонтнраз
/)( −=
, (54)
где С
монт
– емкость монтажа (~5…10 пФ); С
вхj
– входная емкость ИМС по j-му входу, определяемая как
охр0т.дпркпзи
1
зи.зпвх
)()( ССSSKCCCC
M
k
i
iij
+++
′
+−=
∑
=
, (55)
где k – количество транзисторов входного инвертора; С
зс
– емкость затвор-сток ключевых транзисторов;
М
K
′
– коэффициент, учитывающий эффект Миллера; S
кп
– площадь контактной площадки; S
пр
– площадь
проводника металлизации от контактной площадки до затвора; С
охр
– емкость охранных диодов.
Определение времени задержки сигнала разработанной многокаскадной МДП-ИМС включает рас-
чет конструктивной нагрузочной емкости С
н.констр
промежуточного и выходного инверторов по формуле
(46) и по эскизу топологии кристалла, а также проверку неравенства
нн.констр
СC
′
≤ , (56)
где
н
С
′
– расчетное значение емкости.
При выполнении условия (52) производят перерасчет топологии входного инвертора путем увели-
чения времени его выключения, рассчитанного ранее по (5). Для однокаскадных ИМС целесообразно
переработать топологию входного инвертора, произведя расчет на меньшую емкость нагрузки С
н
. При
невыполнении условия (53) или (56) необходимо произвести перерасчет топологии промежуточных ин-
верторов на большую емкость
н
С
′
, чем задано в (47).
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В курсовом проекте рассмотрена взаимосвязь конструктивных и электрических параметров МДП-
транзисторов на основе заданной электрической принципиальной схемы. Произведены проектировка и

Страницы