Конструирование и технология полупроводниковых интегральных микросхем на униполярных транзисторах. Чернышова Т.И - 28 стр.

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Приложение А
Техническое задание
Вари-
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зад
, нс С
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, пФ U
ип
, В
0
вых
U
,
В
1
вых
U
, В
Тип
схемы
1 60 30 8,0 ≤0,2 ≥7,0 1
2 55 35 8,1 ≤0,3 ≥7,1 3
3 50 40 8,2 ≤0,4 ≥7,2 4
4 45 45 8,3 ≤0,5 ≥7,0 1
5 40 50 8,4 ≤0,6 ≥7,3 3
6 35 55 8,5 ≤0,2 ≥7,5 4
7 30 60 8,6 ≤0,3 ≥7,2 1
8 60 65 8,7 ≤0,4 ≥7,3 3
9 55 70 8,8 ≤0,5 ≥7,1 4
10 50 30 8,9 ≤0,6 ≥7,0 1
11 45 35 9,0 ≤0,2 ≥7,4 3
12 40 40 9,1 ≤0,3 ≥7,5 4
13 35 45 9,2 ≤0,4 ≥7,1 1
14 30 50 9,3 ≤0,5 ≥7,2 3
15 60 55 9,4 ≤0,6 ≥7,4 4
16 55 60 9,5 ≤0,2 ≥7,3 1
17 50 65 9,6 ≤0,3 ≥7,0 3
18 45 70 9,7 ≤0,4 ≥7,5 4
19 40 30 9,8 ≤0,5 ≥7,3 1
20 30 35 9,9 ≤0,6 ≥7,1 3
21 60 40 10 ≤0,2 ≥7,2 4
22 55 45 10,1 ≤0,3 ≥7,5 1
23 50 50 10,2 ≤0,4 ≥7,0 3
24 45 55 10,3 ≤0,5 ≥7,4 4
25 40 60 10,4 ≤0,6 ≥7,4 1
26 30 65 10,5 ≤0,2 ≥7,1 3
27 60 70 10,6 ≤0,3 ≥7,3 4
28 55 30 10,7 ≤0,4 ≥7,4 1
29 50 35 10,8 ≤0,5 ≥7,5 3
30 45 40 10,9 ≤0,6 ≥7,2 4
31 60 30 8,0 ≤0,2 ≥7,0 2
32 55 35 8,1 ≤0,3 ≥7,1 5
33 50 40 8,2 ≤0,4 ≥7,2 6
34 45 45 8,3 ≤0,5 ≥7,0 2
35 40 50 8,4 ≤0,6 ≥7,3 5
36 35 55 8,5 ≤0,2 ≥7,5 6
Продолжение табл.