ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
№
Ва-
ри-
анта
t
зад
, нс С
н
, пФ U
ип
, В
0
вых
U
,
В
1
вых
U
, В
Тип
схемы
37 30 60 8,6 ≤0,3 ≥7,2 2
38 60 65 8,7 ≤0,4 ≥7,3 5
39 55 70 8,8 ≤0,5 ≥7,1 6
40 50 30 8,9 ≤0,6 ≥7,0 2
41 45 35 9,0 ≤0,2 ≥7,4 5
42 40 40 9,1 ≤0,3 ≥7,5 6
43 35 45 9,2 ≤0,4 ≥7,1 2
44 30 50 9,3 ≤0,5 ≥7,2 5
45 60 55 9,4 ≤0,6 ≥7,4 6
46 55 60 9,5 ≤0,2 ≥7,3 2
47 50 65 9,6 ≤0,3 ≥7,0 5
48 45 70 9,7 ≤0,4 ≥7,5 6
49 40 30 9,8 ≤0,5 ≥7,3 2
50 30 35 9,9 ≤0,6 ≥7,1 5
51 60 40 10 ≤0,2 ≥7,2 6
52 55 45 10,1 ≤0,3 ≥7,5 2
53 50 50 10,2 ≤0,4 ≥7,0 5
54 45 55 10,3 ≤0,5 ≥7,4 6
55 40 60 10,4 ≤0,6 ≥7,4 2
56 30 65 10,5 ≤0,2 ≥7,1 5
57 60 70 10,6 ≤0,3 ≥7,3 6
58 55 30 10,7 ≤0,4 ≥7,4 2
59 50 35 10,8 ≤0,5 ≥7,5 5
60 45 40 10,9 ≤0,6 ≥7,2 6
Для схем 1, 3, 4 выбирают технологию p- и n-канальных МДП-структур, для 2, 5, 6 – КМДП-
технологию. Технология монтажа кристалла в корпус – ручная термокомпрессия; материал пластины –
КЭФ 4,5; материал затвора – поликристаллический кремний; K
раз
= 10; U
пом
= 0,9 В;
n
N
0
= 10
15
см
–3
;
p
N
0
= 2⋅10
16
см
–3
; N
пов
= (1…2)⋅10
11
см
–2
; µ
n
= 450 см
2
/В⋅с; µ
Р
= 250 см
2
/В⋅с; U
0пар
> 10 В; герметичность кор-
пуса 5⋅10
–5
л⋅мкм/с; Т = –45 + 85 ºС; ε
0
= 8,85⋅10
–12
Ф/м; ε
д
= 3,6…3,9; ε
n
= 11,7.
