Конструирование и технология полупроводниковых интегральных микросхем на униполярных транзисторах. Чернышова Т.И - 4 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

ВВЕДЕНИЕ
Основной задачей курсового проекта по дисциплине «Интегральные устройства радиоэлектронных
средств» является приобретение навыков самостоятельного инженерного и конструкторского расчета
интегральных микросхем (ИМС) на униполярных транзисторах.
При проектировании ИМС значительное внимание уделяется расчету, анализу и топологии МДП-
структур. При расчете параметров МДП-транзисторов первоочередной задачей является проведение
сравнительного анализа характеристик ИМС со схемами аналогичного назначения. Кроме того, необхо-
димо учитывать новейшие достижения в области МДП-структур и современной элементной базы.
1 ЦЕЛЬ И ЗАДАЧИ КУРСОВОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ
Целью курсового проекта является:
− обобщение и закрепление знаний, полученных по дисциплине «Интегральные устройства радио-
электронных средств»;
− расширение знаний студентов о процессах, происходящих в интегральных микросхемах, исполь-
зующих МДП-транзисторы, и методах их анализа;
− развитие навыков практического применения теоретических знаний и принятия инженерных и
конструкторских решений;
− освоение методики расчета МДП-ИМС с использованием современных средств вычислительной
техники.
2 СОДЕРЖАНИЕ И ОБЪЕМ КУРСОВОГО ПРОЕКТА
Проект выполняется в соответствии с индивидуальным заданием, разработанным руководителем.
Вариант задания определятся руководителем курсового проекта.
Курсовой проект включает пояснительную записку и графическую часть. Объем пояснительной за-
писки 25 – 30 страниц. Пояснительная записка и графическая часть проекта оформляются согласно
стандарту предприятия «Проекты (работы) дипломные и курсовые».
В соответствии с утвержденным заданием (прил. А) на курсовой проект пояснительная записка
включает следующие основные разделы:
1) схема интегральная с использованием МДП-транзисторов;
2) расчет электрических параметров МДП-транзисторов;
3) расчет конструктивных параметров МДП-ИМС;
4) конструирование МДП-транзисторов;
5) конструирование топологии кристалла МДП-ИМС.
Графическая часть объекта выполняется на листах формата А3 (топология кристалла МДП-ИМС) и
А4 (электрическая схема и слои печатной платы). Обозначение элементов на электрических схемах вы-
полняется согласно ГОСТ-2.701-2.759–68(71).
3 МЕХАНИЗМ РАБОТЫ И КЛАССИФИКАЦИЯ
МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
МДП-транзисторы – одна из разновидностей полевых транзисторов, в которых используется эффект
дрейфа основных носителей заряда под действием продольного электрического поля и модуляция этого
тока поперечным электрическим полем.
МДП-транзисторы отличаются от биполярных транзисторов, поскольку механизм их работы осно-
ван на перемещении только основных носителей заряда. В связи с этим их называют униполярными.
Эти транзисторы имеют ряд преимуществ перед биполярными:
1) размеры и площадь гораздо меньше;
2) малый уровень шумов;
3) устойчивость к перегрузкам по току;
4) высокое входное сопротивление;
5) малую мощность рассеяния;
6) высокую помехоустойчивость;

Страницы