Конструирование и технология полупроводниковых интегральных микросхем на униполярных транзисторах. Чернышова Т.И - 6 стр.

UptoLike

В МДП-ИМС нет необходимости применять дополнительные области для изоляции элементов друг
от друга, в связи с чем степень интеграции МДП-ИМС выше, чем степень интеграции ИМС на бипо-
лярных транзисторах, а технологические маршруты их изготовления содержат меньшее количество
операций.
Наибольшее распространение получили следующие маршруты производства: технология МДП-
ИМС на p-канальных транзисторах с алюминиевыми и кремниевыми затворами, технология МДП-ИМС
на n-канальных транзисторах с кремниевыми затворами, технология КМДП-ИМС с алюминиевыми,
молибденовыми или кремниевыми затворами.
На рис. 2 показана последовательность технологических операций при производстве p-канальных
МДП-ИМС с алюминиевыми затворами, на рис. 3 n-канальные МДП-ИМС с кремниевыми затворами,
на рис. 4 – маршрут производства КМДП-ИМС с кремниевыми затворами.
Рис. 2 Последовательность технологических операций при производстве
р-канальных МДП-ИМС с алюминиевыми затворами:
1 – окисление кремниевой пластины n-типа; 2 – фотолитография для вскрытия окон под области стоков,
истоков и диффузионных шин; 3 – локальная загонка примеси
р-типа в поверхностную область будущих стоков и истоков методом ионного
легирования и второе окисление с одновременной разгонкой примеси;
4 – фотолитография для удаления окисла с подзатворных областей; 5 – формирование подзатворного ди-
электрика окислением в сухом кислороде и дополнительная разгонка примеси в областях стоков и исто-
ков; 6 – фотолитография для вскрытия окон под контакты к областям стока, истока и диффузионным
шинам; 7 – нанесение пленки алюминия и фотолитография для создания рисунка разводки; 8 – нанесе-
ние
пассивирующего слоя ФСС с последующим фотолитографическим вскрытием окон
над контактными площадками и областями скрайбирования
Рис. 4 Последовательность технологических операций при производстве
КМДП-ИМС с кремниевыми затворами:
1 – окисление кремниевой пластины р-типа; 2 – фотолитография для вскрытия окон
под диффузию примеси р-типа и формирования областей размещения n-канальных транзисторов; 3
ионное внедрение бора во вскрытые области, окисление и
одновременная разгонка бора; 4 – фотолитография для вскрытия окон под области
n-канальных транзисторов, диффузионных шин и охранных колец; 5 – формирование подзатворного