ВУЗ:
Рубрика:
РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ
" ДЕФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ"
Томск – 2005
I. Oрганизационно-методический раздел
1. Цель курса
Целью курса является знакомство студентов с несовершенствами (дефектами) строения
реальных кристаллов полупроводников, их параметрами и характеристиками, причинами об-
разования.
2. Задачи учебного курса
Дать студенту базовые сведения о дефектах в полупроводниках, и их влиянию на свойст-
ва полупроводниковых материалов и приборов.
3. Требования
к уровню освоения курса
Спецкурс базируется на программах соответствующих курсов общей физики, квантовой
механики, физики твердого тела и полупроводников, физики полупроводниковых приборов.
II. Содержание курса
№ Тема Содержание
1. Введение Несовершенства (дефекты) строения реальных кристаллов
полупроводников, дефекты (фононы, экситоны, электроны,
атомные дефекты) и физические свойства полупроводнико-
вых материалов
2. Классификация дефек-
тов, типы дефектов
Причины образования дефектов: отклонение состава материа-
ла от стехиометрического при выращивании (биографические
(ростовые) дефекты), термическая обработка (термодефекты),
пластическая деформация (дефекты пластической деформа-
ции), высокоэнергетическое радиационное воздействие (ра-
диационные дефекты) в полупроводниках; образование де-
фектов в полупроводниковых приборах, классификация де-
фектов по их размерности - атомные (
точечные) дефекты, ли-
нейные, плоские (двумерные) и объемные дефекты.
3. Точечные дефекты Собственные дефекты решетки, энергия образования и ми-
грации, механизмы миграции, равновесие дефектов, заряжен-
ные и незаряженные дефекты, компенсация заряда, структуры
разрыхления (дефекты Шоттки), смещения (Френкеля), меж-
доузельные атомы, антиструктурные дефекты, дивакансии,
