ВУЗ:
Рубрика:
1. Рекомендуемая литература (основная):
1. Диффузия в полупроводниках. Б.И. Болтакс. Гос. Изд. Физ.-Мат.Лит., М.,1961, 462 с.
2. Химия твердого тела. Н. Хенней. И. Мир, М., 1971, 223 с. (пер. с англ. Solid-State Chemis-
try. N.B. Hannay.).
3. Электроника дефектов в полупроводниках. Г. Матаре. И. "Мир", М. 1974, 464 с. (Пер. с
англ. Defect Electronics in Semiconductors. H.F. Matare. "Wiley-Interscience", N-Y – London
– Sydney – Toronto 1971).
4. Дефекты кристаллического строения
металлов. И.И. Новиков. И. Металлургия, М., 1975,
208 с.
2. Рекомендуемая литература (дополнительная):
1. Дефекты в кристаллах полупроводников. Сб. статей. И. "Мир", М., 1969, 375 с.
2. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. Б.Ф. Ормонт. И.
Высшая школа, М., 1968, 487 с.
3. Электронная структура точечных дефектов. Г. Вертхейм, А. Хаусман, В. Зандер
. Атомиз-
дат, 1977, М. 205 с. (пер. с англ. The electronic structure of poin defects. G.K. Wertheim, A.
Hausmann and W. Sander. North-Holland Publ. Company – Amsterdam – London, 1971.
4. Физические процессы в облученных полупроводниках. Отв. ред. Л.С. Смирнов, И. Наука
Сибирское отделение, Новосибирск, 1977, 256 с.
5. Структурная релаксация в полупроводниковых кристаллах и приборных структурах (ме-
ханизмы релаксации, методы исследования, роль в деградации приборов). Е.Ф. Венгер,
М. Грендель, В. Данишка, Р
.В. Конакова, И.В . Прокопенко, Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан.
Видавництво "Фенiкс", Киiв, 1994, 246 с.
6. Нанокристаллические материалы. А.И. Гусев, А.А. Ремпель. Физматгиз, М., 2001, 222 с.
Автор:
Брудный Валентин Натанович, д.ф.-м.н., профессор
